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半導(dǎo)體光電雜志

全年訂價:¥280.00/年

半導(dǎo)體光電雜志北大期刊統(tǒng)計源期刊

Semiconductor Optoelectronics

同學(xué)科期刊級別分類 CSSCI南大期刊 北大期刊 CSCD期刊 統(tǒng)計源期刊 部級期刊 省級期刊

  • 雙月刊 出版周期
  • 50-1092/TN CN
  • 1001-5868 ISSN
主管單位:中國電子科技集團有限公司
主辦單位:重慶光電技術(shù)研究所
創(chuàng)刊時間:1976
開本:A4
出版地:重慶
語種:中文
審稿周期:1-3個月
影響因子:0.87
被引次數(shù):167
數(shù)據(jù)庫收錄:

北大期刊(中國人文社會科學(xué)期刊)、統(tǒng)計源期刊(中國科技論文優(yōu)秀期刊)、知網(wǎng)收錄(中)、維普收錄(中)萬方收錄(中)、CA 化學(xué)文摘(美)JST 日本科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu)數(shù)據(jù)庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏

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半導(dǎo)體光電雜志簡介

《半導(dǎo)體光電》雜志是專業(yè)技術(shù)性刊物??d半導(dǎo)體光電器件、光通信系統(tǒng)和光傳輸、光存貯、光計算、處理技術(shù),以及攝像、傳感、遙感等方面的研究成果、學(xué)術(shù)論文、學(xué)位論文和工作報告,介紹光學(xué)、光子學(xué)、量子電子學(xué)、光電子學(xué)領(lǐng)域的新材料、新結(jié)構(gòu)、新工藝、新器件,報道國內(nèi)外該領(lǐng)域的研究和發(fā)展方向。讀者對象為半導(dǎo)體光電專業(yè)的科技人員和大專院校師生。

半導(dǎo)體光電雜志欄目設(shè)置

本刊動態(tài)綜述、光電器件、材料、結(jié)構(gòu)及工藝、光通信、光電技術(shù)應(yīng)用。

半導(dǎo)體光電雜志榮譽信息

半導(dǎo)體光電雜志訂閱方式

地址:重慶市南岸區(qū)南坪花園路14號,郵編:400060。

半導(dǎo)體光電雜志社投稿須知

1.來稿要求論點明確、數(shù)據(jù)可靠、邏輯嚴密、文字精煉,每篇論文必須包括題目、作者姓名、作者單位、單位所在地及郵政編碼、摘要和關(guān)鍵詞、正文、參考文獻和第一作者及通訊作者(一般為導(dǎo)師)簡介(包括姓名、性別、職稱、出生年月、所獲學(xué)位、目前主要從事的工作和研究方向),在文稿的首頁地腳處注明論文屬何項目、何基金(編號)資助,沒有的不注明。

2.論文摘要盡量寫成報道性文摘,包括目的、方法、結(jié)果、結(jié)論4方面內(nèi)容(100字左右),應(yīng)具有獨立性與自含性,關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞(3~5個)。

3.文稿篇幅(含圖表)一般不超過5000字,一個版面2500字內(nèi)。文中量和單位的使用請參照中華人民共和國法定計量單位最新標準。外文字符必須分清大、小寫,正、斜體,黑、白體,上下角標應(yīng)區(qū)別明顯。

4.文中的圖、表應(yīng)有自明性。圖片不超過2幅,圖像要清晰,層次要分明。

5.參考文獻的著錄格式采用順序編碼制,請按文中出現(xiàn)的先后順序編號。所引文獻必須是作者直接閱讀參考過的、最主要的、公開出版文獻。未公開發(fā)表的、且很有必要引用的,請采用腳注方式標明,參考文獻不少于3條。

6.來稿勿一稿多投。收到稿件之后,5個工作日內(nèi)審稿,電子郵件回復(fù)作者。重點稿件將送同行專家審閱。如果10日內(nèi)沒有收到擬用稿通知(特別需要者可寄送紙質(zhì)錄用通知),則請與本部聯(lián)系確認。

7.來稿文責(zé)自負。所有作者應(yīng)對稿件內(nèi)容和署名無異議,稿件內(nèi)容不得抄襲或重復(fù)發(fā)表。對來稿有權(quán)作技術(shù)性和文字性修改,雜志一個版面2500字,二個版面5000字左右。作者需要安排版面數(shù),出刊日期,是否加急等情況,請在郵件投稿時作特別說明。

8.請作者自留備份稿,本部不退稿。

9.論文一經(jīng)發(fā)表,贈送當(dāng)期樣刊1-2冊,需快遞的聯(lián)系本部。

10.請在文稿后面注明稿件聯(lián)系人的姓名、工作單位、詳細聯(lián)系地址、電話(包括手機)、郵編等信息,以便聯(lián)系有關(guān)事宜。

半導(dǎo)體光電雜志范例

GaN基MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器光響應(yīng)特性

兩基色白光LED的光視效能的研究

1.55μmDFBLD光柵結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計

用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管

Er3+/Yb3+共摻磷酸鹽光纖放大器增益分析新模型

光伏型光電探測器漂移-擴散模型的改進

集成光波導(dǎo)微應(yīng)力傳感器研究

數(shù)字光電耦合器隔離性能及動態(tài)特性測試儀

MEMS封裝用局部激光鍵合法及其實現(xiàn)

InGaAs/InAlAs蓋帽層對InAs自組裝量子點發(fā)光性質(zhì)的影響

超晶格量子阱的溝道效應(yīng)與光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)效應(yīng)

摻銻二氧化錫薄膜的噴霧熱解法制備與熱處理

銦對GaN基激光器晶體質(zhì)量的影響

Ag/S/C共摻雜納米TiO2的制備與光催化活性

可溶性PMOTOPV的合成及其光致發(fā)光性能

二次退火對p型GaN的應(yīng)變影響

圓片直接鍵合界面表面能測試研究

半導(dǎo)體光電雜志數(shù)據(jù)信息

影響因子和被引次數(shù)

雜志發(fā)文量

半導(dǎo)體光電雜志發(fā)文分析

主要資助課題分析

資助課題 涉及文獻
重慶市自然科學(xué)基金(2010BB2409) 16
國家自然科學(xué)基金(90104003) 12
重慶市教委科研基金(KJ110519) 10
國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2006CB604902) 10
國家自然科學(xué)基金(61377088) 10
國家自然科學(xué)基金(90304004) 10
國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(2003CB314905) 9
國家自然科學(xué)基金(60506012) 9
國家自然科學(xué)基金(60678018) 9
教育部“新世紀優(yōu)秀人才支持計劃”(NCET-10-0583) 9

主要資助項目分析

資助項目 涉及文獻
國家自然科學(xué)基金 1550
國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃 315
國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃 213
重慶市自然科學(xué)基金 71
國家教育部博士點基金 70
中央高?;究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金 63
教育部“新世紀優(yōu)秀人才支持計劃” 52
重慶市教委科研基金 48
重慶市教育委員會科學(xué)技術(shù)研究項目 47
廣東省自然科學(xué)基金 45
半導(dǎo)體光電雜志

半導(dǎo)體光電雜志

訂閱價格:¥280.00/1年 發(fā)行周期:雙月刊 紙張開本:A4

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