真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)B
國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：J VAC SCI TECHNOL B
Journal Of Vacuum Science & Technology B
SCIE
按雜志級(jí)別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)
- ISSN：1071-1023
- 創(chuàng)刊時(shí)間：1991
- 是否預(yù)警：否
- E-ISSN：2166-2754
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否OA：未開(kāi)放
- 出版語(yǔ)言：English
- 出版周期：Bimonthly
- 影響因子：1.5
- 出版商：A V S AMER INST PHYSICS
- 審稿周期： 約3.0個(gè)月
- 開(kāi)源占比：0.2239
- 文章自引率：0.1428...
Journal Of Vacuum Science & Technology B雜志簡(jiǎn)介
Journal Of Vacuum Science & Technology B是由A V S AMER INST PHYSICS出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自1991年創(chuàng)刊以來(lái)，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)（ISSN：1071-1023，E-ISSN：2166-2754），出版周期Bimonthly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專(zhuān)業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。
該期刊文章自引率0.1428...，開(kāi)源內(nèi)容占比0.2239，出版撤稿占比0，OA被引用占比0.1270...，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專(zhuān)業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛(ài)好者，這些讀者群體來(lái)自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Journal Of Vacuum Science & Technology B已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。
Journal Of Vacuum Science & Technology B中科院分區(qū)表
中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
| 大類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | 小類(lèi)學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖
WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 252 / 352 |
28.6% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.2% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 134 / 179 |
25.4% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 354 |
21.61% |
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.21% |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 179 |
19.27% |
JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱(chēng)為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù)，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類(lèi)似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。
歷年發(fā)文數(shù)據(jù)
| 年份 | 年發(fā)文量 |
| 2014 | 284 |
| 2015 | 281 |
| 2016 | 293 |
| 2017 | 245 |
| 2018 | 231 |
| 2019 | 137 |
| 2020 | 206 |
| 2021 | 149 |
| 2022 | 155 |
| 2023 | 197 |
期刊互引關(guān)系
| 被他刊引用情況 | |
| 期刊名稱(chēng) | 引用次數(shù) |
| JPN J APPL PHYS | 267 |
| J APPL PHYS | 249 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| APPL SURF SCI | 152 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 141 |
| ACS APPL MATER INTER | 126 |
| NANOTECHNOLOGY | 121 |
| APPL PHYS LETT | 112 |
| ECS J SOLID STATE SC | 105 |
| MATER RES EXPRESS | 94 |
| 引用他刊情況 | |
| 期刊名稱(chēng) | 引用次數(shù) |
| APPL PHYS LETT | 314 |
| J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
| J APPL PHYS | 198 |
| PHYS REV B | 108 |
| J VAC SCI TECHNOL A | 80 |
| NANO LETT | 77 |
| THIN SOLID FILMS | 66 |
| APPL SURF SCI | 62 |
| MICROELECTRON ENG | 62 |
| NANOTECHNOLOGY | 62 |
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中科院分區(qū)：4區(qū)