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Ieee Transactions On Smart Grid

智能電網(wǎng)上的IEEE交易
國際簡稱:IEEE T SMART GRID

Ieee Transactions On Smart Grid

SCIE

按雜志級別劃分: 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

  • 1區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q1 JCR分區(qū)
  • 394 年發(fā)文量
  • 99.49% 研究類文章占比
  • 13.30% Gold OA文章占比
ISSN:1949-3053
創(chuàng)刊時間:2010
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1949-3061
出版地區(qū):UNITED STATES
是否OA:未開放
出版語言:English
出版周期:6 issues/year
影響因子:8.6
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
審稿周期:
CiteScore:22.1
H-index:121
出版國人文章占比:0.21
開源占比:0.1536
文章自引率:0.0937...

Ieee Transactions On Smart Grid雜志簡介

Ieee Transactions On Smart Grid是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專業(yè)學(xué)術(shù)期刊,自2010年創(chuàng)刊以來,一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(ISSN:1949-3053,E-ISSN:1949-3061),出版周期6 issues/year,其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動工程技術(shù)專業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流,發(fā)表同行有創(chuàng)見的學(xué)術(shù)論文,提倡學(xué)術(shù)爭鳴,激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新,開展國際間學(xué)術(shù)交流,為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.0937...,開源內(nèi)容占比0.1536,出版撤稿占比0,OA被引用占比0,讀者群體主要包括工程技術(shù)的專業(yè)人員,研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛好者,這些讀者群體來自全球各地,具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Transactions On Smart Grid已被國際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫“ SCIE(Science Citation Index Expanded) ”收錄,方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用,有助于推動ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

CiteScore(2024年最新版)

  • CiteScore:22.1
  • SJR:4.863
  • SNIP:2.945
學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Computer Science 小類:General Computer Science Q1 6 / 232

97%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評估,打破了過去僅依賴單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過綜合廣泛的引用數(shù)據(jù),跨越多個學(xué)科領(lǐng)域,從而確保了更高的透明度和開放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分,包括SNIP(源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響)、SJR(SCImago雜志排名)、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo),幫助研究者深入了解超過22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個指標(biāo)的詳細(xì)信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對比

Ieee Transactions On Smart Grid中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū) 2022年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū) 2021年12月升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級版
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 1區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 1區(qū)
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢圖

WOS期刊JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 18 / 352

95%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 17 / 354

95.34%

JCR(Journal Citation Reports)分區(qū),也被稱為JCR期刊分區(qū),是由湯森路透公司(現(xiàn)在屬于科睿唯安公司)制定的一種國際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫,按照期刊的影響因子進(jìn)行排序,按照類似等分的方式將期刊劃分為四個區(qū):Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是,JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))存在不同之處。例如,兩者的分區(qū)數(shù)量不同,JCR分為四個區(qū),而中科院分區(qū)則分為176個學(xué)科,每個學(xué)科又按照影響因子高低分為四個區(qū)。此外,兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份 年發(fā)文量
2014 302
2015 309
2016 285
2017 295
2018 646
2019 617
2020 466
2021 466
2022 403
2023 394

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱 引用次數(shù)
IEEE T SMART GRID 3316
IEEE ACCESS 2310
ENERGIES 1769
IET GENER TRANSM DIS 1208
INT J ELEC POWER 1122
IEEE T POWER SYST 936
APPL ENERG 885
IEEE T IND INFORM 760
ELECTR POW SYST RES 442
IET RENEW POWER GEN 436
引用他刊情況
期刊名稱 引用次數(shù)
IEEE T SMART GRID 3316
IEEE T POWER SYST 2799
IEEE T POWER DELIVER 674
IEEE T POWER ELECTR 594
IEEE T IND ELECTRON 545
IEEE T SUSTAIN ENERG 490
APPL ENERG 282
IET GENER TRANSM DIS 274
IEEE T IND INFORM 263
P IEEE 208
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