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【摘要】通常情況下,工業(yè)上電子輻照所需的劑量很大,故工業(yè)電子加速器的劑量率一般都很大,而在對半導(dǎo)體進(jìn)行輻照時(shí),通常需要較小的劑量。本文推導(dǎo)了高頻諧振工業(yè)電子加速器的輻照劑量率,然后援用某種工業(yè)電子加速器的參數(shù)計(jì)算出半導(dǎo)體接受電子輻照的最小劑量率,并設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)方案,實(shí)現(xiàn)工業(yè)電子加速器對半導(dǎo)體的小劑量電子輻照。
【關(guān)鍵詞】工業(yè)電子加速器;電子輻照;小劑量;半導(dǎo)體
1引言
電子加速器輻照技術(shù)具有應(yīng)用廣、效率高、無污染等特點(diǎn),[1~2]已經(jīng)應(yīng)用于經(jīng)濟(jì)社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域,在國民經(jīng)濟(jì)中發(fā)揮的作用越來越大。[3]電子加速器內(nèi)部的電磁鐵兩級之間有一個(gè)環(huán)形真空室,在交變電流的作用下,在其內(nèi)部形成很強(qiáng)的電場,這時(shí)電子被注入環(huán)形室,在電場的加速下獲得較高的能量,其速度甚至可以接近光速。[4]電子加速器輻照裝置按加速原理分為直流高壓型和高頻諧振型兩類。[5]直流高壓型,是用直流電產(chǎn)生連續(xù)束流,利用帶電粒子同性相斥異性相吸的原理使帶電粒子加速而獲得能量。[6]高頻諧振型電子加速器輻照裝置產(chǎn)生的是脈沖束流,它的工作原理是使電子束流多次經(jīng)過交變電場而使電子獲得一定的能量。[7]電子加速器能夠應(yīng)用于電線電纜、發(fā)泡材料以及有機(jī)PTC材料的輻射交聯(lián)和輻射接枝。[8]隨著電子加速器的發(fā)展,其應(yīng)用的領(lǐng)域也在不斷地?cái)U(kuò)大,在食品的殺菌、保鮮方面應(yīng)用廣泛。[9]電子加速器輻照裝置對半導(dǎo)體材料進(jìn)行照射,可以改變材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu),從而達(dá)到改變材料理化性質(zhì)的目的。[10]用電子加速器還可以給寶石進(jìn)行改色,無色黃玉在經(jīng)過電子輻照和適當(dāng)處理后,可以變成淡藍(lán)色。[11]
2結(jié)果與討論
一般來說,工業(yè)上所需的電子輻照劑量很大,而大量的電子輻照會(huì)在半導(dǎo)體材料內(nèi)部產(chǎn)生大量的缺陷,而這些缺陷通常對半導(dǎo)體是有害的,故對半導(dǎo)體進(jìn)行電子輻照所需的劑量通常較小。工業(yè)電子加速器劑量率通常很大,不適用于半導(dǎo)體的電子輻照。本文推導(dǎo)出高頻諧振型工業(yè)電子加速器劑量率的表達(dá)式,并將某種工業(yè)電子加速器的參數(shù)代入計(jì)算出該加速器輻照的最小劑量率。然后,設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn),提出可借助傳送帶或者機(jī)器人小車實(shí)現(xiàn)對半導(dǎo)體的小劑量電子輻照。降低輻照劑量通常有兩種途徑,分別是減小劑量率或者減小輻照的時(shí)間。限于工業(yè)電子加速器的電流等物理參數(shù)的值較大,工業(yè)電子加速器的最小劑量率通常比較大,故可通過減小輻照時(shí)間實(shí)現(xiàn)工業(yè)電子加速器的小劑量電子輻照。首先推導(dǎo)高頻諧振型電子加速器的劑量率表達(dá)式。此處劑量率是指單位時(shí)間內(nèi)被輻照的物體吸收的劑量。下文各字母的定義為:I為電子加速器脈沖電流數(shù)值,t為脈寬,q為一個(gè)電子的電量,f為脈沖電流的頻率,E0表示電子射入硅片之前的能量,即加速器的輻照能量,E1是電子射出硅片之后的能量,S1為電子加速器的輻照區(qū)域的面積,S2為半導(dǎo)體樣品的面積,d為半導(dǎo)體樣品的厚度,ρ為半導(dǎo)體樣品的密度。一個(gè)脈沖電流下輻照在半導(dǎo)體上的電量為:Q=It(1)一個(gè)脈沖電流下輻照在半導(dǎo)體上的電子個(gè)數(shù)為:n=Q/q=It/q(2)一個(gè)脈沖電流下輻照在半導(dǎo)體上的能量為:n•(E0-E1)(3)則單位時(shí)間單位面積的半導(dǎo)體接受的輻照能量為:n•(E0-E1)/S1÷1/f=n•(E0-E1)•f/S1(4)半導(dǎo)體的質(zhì)量為:m=S2•d•ρ(5)故電子輻照的劑量率為:D=n•(E0-E1)•f•S2/S2•d•ρ=It(E0-E1)f/qS1dρ(6)以某高頻諧振型工業(yè)電子加速器為例,計(jì)算其最小輻照劑量率。該電子加速器的具體參數(shù)如下:電子能量是10MeV,脈沖電流閾值可調(diào)范圍為50~260mA,脈寬可調(diào)范圍為4~18μs,頻率可調(diào)范圍為1~500Hz在電子輻照過程中硅片吸收的每個(gè)電子的能量為E0-E1=0.22MeV(由中國原子能科學(xué)研究院提供),輻照區(qū)域長80cm,寬4cm,故輻照面積S1=80cm•4cm=320cm2。本文中,所用半導(dǎo)體樣品是硅片,其面積為S1=1cm2,厚度d=600μm,密度ρ=2.33g/cm3。將脈沖電流/脈寬/頻率等參數(shù)的最小值,即I=50mA,t=4μs,f=1Hz,代入公式(6),可計(jì)算出該電子加速器的最小劑量率為1Gy/s。假設(shè)目標(biāo)輻照劑量為20Gy則硅片在輻照區(qū)域內(nèi)停留的時(shí)間為20s。由v=L/t(L為電子加速器輻照區(qū)域的寬度),可求出硅片經(jīng)過輻照區(qū)域的速度為0.2cm/s,最后只需將硅片固定在小車或者傳送帶上,利用傳送帶或者小車,攜帶硅片通過輻照區(qū)域,控制傳送帶的帶速或者小車的車速,從而實(shí)現(xiàn)目標(biāo)劑量的電子輻照。由于電子加速器開和關(guān)時(shí)電子束流不穩(wěn)定,故應(yīng)該在其穩(wěn)定工作時(shí)對硅片進(jìn)行輻照。電子加速器裝置是由極板組成,上面的極板向下發(fā)射電子進(jìn)而對物體進(jìn)行輻照,故可以將硅片固定在傳送帶或者機(jī)器人小車上,通過控制傳送帶或機(jī)器人小車的速度,使硅片在規(guī)定時(shí)間內(nèi)通過輻照區(qū)域。由上文計(jì)算可知,只需要將傳送帶或小車的速度調(diào)至0.2cm/s,即可實(shí)現(xiàn)20Gy的電子輻照。通常,當(dāng)工業(yè)電子加速器的各參數(shù)同時(shí)調(diào)至最低時(shí),電子輻照的束流可能不穩(wěn)定。故另取脈沖電流/脈寬/頻率的平均值代入公式(6),可得此條件下的劑量率為209Gy/s。當(dāng)目標(biāo)輻照劑量為20Gy時(shí),硅片在輻照區(qū)域的停留時(shí)間為0.1s,可推算硅片經(jīng)過輻照區(qū)域的速度為40cm/s。當(dāng)需要硅片以更快的速度經(jīng)過輻照區(qū)域時(shí),傳送帶可能無法滿足需求,故此種情況下可用小車攜帶硅片快速經(jīng)過輻照區(qū)域。
3結(jié)論
本文推導(dǎo)出高頻諧振型工業(yè)電子加速器輻照劑量率的表達(dá)式。根據(jù)目標(biāo)輻照劑量可計(jì)算出輻照時(shí)間。將半導(dǎo)體固定在傳送帶或者機(jī)器人小車上,通過調(diào)節(jié)傳送帶或者小車的速度,使半導(dǎo)體在規(guī)定時(shí)間內(nèi)通過輻照區(qū)域,從而實(shí)現(xiàn)高頻諧振型工業(yè)電子加速器的小劑量電子輻照。
參考文獻(xiàn)
[1]唐鄂生.電子直線加速器輻射加工的特點(diǎn)及其應(yīng)用前景[C].全國電子輻射加速器裝備產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用問題研討會(huì),2006.
[2]史衛(wèi)箭.淺談電子加速器輻照技術(shù)[J].天津光電線纜技術(shù),2009(4):10~16.
[3]趙成剛.電子加速器及其應(yīng)用領(lǐng)域概述[J].電工文摘,2008(4).
[4]姚充國.電子直線加速器的現(xiàn)狀和發(fā)展[J].物理,1978(6):330~337.
[5]戚文元.我國電子輻照加速器的現(xiàn)狀與未來[C].“發(fā)展中的我國輻射加工的現(xiàn)狀與未來”研討會(huì),2013.
[6]王軍明.例談幾種常見加速器的工作原理[J].物理教學(xué),2005(3):5~6.
[7]黃正新.電子輻照加速器裝置[M].中國同位素與輻射行業(yè)協(xié)會(huì)輻射加工專業(yè)委員會(huì),2011.
[8]梁宏斌,張玉寶,王強(qiáng),斯琴圖雅.電子加速器及其應(yīng)用領(lǐng)域[J].科技創(chuàng)新與應(yīng)用,2012(5):3.
[9]鄧文敏,陳浩,裴穎,馮磊,張亞群,陳勛,李文君,向成芬,王志東.高能電子加速器在食品輻照加工中的應(yīng)用分析[J].核農(nóng)學(xué)報(bào),2012,26(6):919~923.
[10]王振洲.電子直線加速器在硅半導(dǎo)體器件改性中的應(yīng)用及硅半導(dǎo)體輻照效應(yīng)研究[D].南京大學(xué),1990.
[11]翟興林,陳桂成,徐芬娟.高能電子輻照工藝在電力半導(dǎo)體器件和寶石改色中的應(yīng)用[C].全國核技術(shù)應(yīng)用戰(zhàn)略討論會(huì),1989.
作者:陳逸飛 單位:石家莊市第二中學(xué)