微納米制造技術及應用精選(九篇)

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第1篇：微納米制造技術及應用范文

一、微電子的集成技術

微電子器件的特征尺寸縮小將持繼下去。目前，建立在以Si基材料為基礎、CMOS器件為主流的半導體集成電路技術，其主流產(chǎn)品的特征尺寸已縮小到0.18~0.1?m。硅基技術的高度成熟，硅基CMOS芯片應用的日益擴大，硅平面的加工工藝技術作為高新技術基礎的高新加工技術也將持繼下去。據(jù)國際權威機構(gòu)預測，到2012年，微電子芯片加工技術將達到400mm（16in）硅片、50nm特征尺寸，到2016年，器件的最小特征尺寸應在13nm。然而，硅基CMOS的發(fā)展和任何事物一樣，都有其產(chǎn)生、發(fā)展、成熟、衰亡的過程，不可能按摩爾定律揭示的規(guī)律長期的發(fā)展下去。隨著特征尺寸的縮小，將達到器件結(jié)構(gòu)的諸多物理限制。當代各種集成電路發(fā)展狀況，越來越接近物理限制。

采用新材料的非經(jīng)典CMOS必將發(fā)展起來，高K材料和新型的柵電極；采用非經(jīng)典的FET器件結(jié)構(gòu)；采用新工藝技術等。在非經(jīng)典CMOS迫切需要解決的問題中，功耗是一個最嚴峻的問題，能否圓滿解決這一問題，將是制約發(fā)展非經(jīng)典CMOS發(fā)展的一個重要因素。

二、正在成長的系統(tǒng)芯片—SOC

由芯片發(fā)展到系統(tǒng)芯片（SOC），是改善芯片集成技術的新舉措。微電子器件的特征尺寸難于按摩爾定律無限的縮小下去，在芯片上增加集成器件是集成技術發(fā)展的另一方向。與當年從分立晶體管到集成芯片（IC）一樣，系統(tǒng)芯片（SOC）將是微電子技術領域中又一場新的革命。

上個世紀90年代以來，集成芯片系統(tǒng)（SOC）訊速發(fā)展起來，它基于硅基CMOS工藝，但又不局限于CMOS和硅平面加工工藝。它是以硅基CMOS為基礎技術，將整個電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)整個集成在一個芯片上或幾個芯片上，它是集軟件和硬件于一身的產(chǎn)物，SOC的設計是通過嵌入模擬電路、數(shù)字電路等IP的結(jié)合體，可以具有更大的靈活性。一個典型的SOC可能包含應用處理器模塊、數(shù)字信號處理器模塊、存儲器單元模塊、控制器模塊、外設接口模塊等等多種模塊。微電子技術從IC向SOC轉(zhuǎn)變不僅是一種概念上的突破，同時也是信息技術發(fā)展的必然結(jié)果。集成系統(tǒng)的發(fā)展是以應用為驅(qū)動的，隨著社會信息化的進程，它將越來越重要。21世紀僅僅是SOC發(fā)展的開始，它將進入空間、進入人體、進入家庭，它將進入需要所有需要掌握信息處理的信息空間和時間。有的科學家就把集成芯片系統(tǒng)—SOC稱為USOC（UserSOC）。

三、MEMS技術是微電子技術新的增長點

微機電系統(tǒng)制造（Micro?Electro?Mechanical?systems—MEMS）是微電子發(fā)展的另一方向，它的目標是把信息獲取、處理和執(zhí)行一體化地集成在一起，使其成為真正的系統(tǒng)，也可以說是更廣泛的SOC概念。MEMS不僅為傳統(tǒng)的機械尺寸領域打開了新的大門，也真正實現(xiàn)了機電一體化。因此，它被認為是微電子技術的又一次革命，對21世紀的科學技術、生產(chǎn)方式、人類生活都有深遠影響。

微機電系統(tǒng)(MEMS)技術是建立在微米/納米技術（micro/nanotechnology）基礎上的21世紀前沿技術，是指對微米/納米材料進行設計、加工、制造、測量和控制的技術。它可將機械構(gòu)件、光學系統(tǒng)、驅(qū)動部件、電控系統(tǒng)集成為一個整體單元的微型系統(tǒng)。這種微機電系統(tǒng)不僅能夠采集、處理與發(fā)送信息或指令，還能夠按照所獲取的信息自主地或根據(jù)外部的指令進行操作。它用微電子技術和微加工技術(包括硅體微加工、硅表面微加工、LIGA和晶片鍵合等技術)相結(jié)合的制造工藝，制造出各種性能優(yōu)異、價格低廉、微型化的傳感器、執(zhí)行器、驅(qū)動器和微系統(tǒng)。?微機電系統(tǒng)（MEMS）是近年來發(fā)展起來的一種新型多學科交叉的技術，該技術將對未來人類生活產(chǎn)生極大性影響。它涉及機械、電子、化學、物理、光學、生物、材料等多學科。?微機電系統(tǒng)(MEMS)的研究已取得很多成果。在微傳感器方面，利用物質(zhì)的各種特性研制出了各種微型傳感器；在微執(zhí)生器方面有微型馬達、微閥、微泵及各種專用微型機械已組成微化學系統(tǒng)和DNA反應室。此外，還有其它很多方面的應用。

第2篇：微納米制造技術及應用范文

IBM日前宣布，他們已經(jīng)成功將納米緞石墨烯場效應晶體管的頻率提高到GHz級別，這也是這種非硅電子材料迄今為止所能達到的最高頻率。該成就是美國國防部高級研究計劃署(DARPA)贊助的碳電子射頻應用(CERA)項目取得的里程碑式進步，也是開發(fā)下一代通信設備工程的一部分。

石墨烯(Graphene)是石墨的一種特殊形式。雖二維結(jié)構(gòu)，由蜂窩狀的單層碳原子組成，完美情況下只包括六角元胞(等角六邊形)，而且有著獨特的電子屬性，有希望最終組成超高速晶體管，故而吸引了全球科研人員的廣泛關注。2006年3月，佐治亞理工學院成功地制造了第一個石墨烯平面場效應晶體管，并觀測到了量子干涉效應。

IBM的最新成果除了讓石墨烯晶體管的頻率突破1GHz，更重要的是還首次確立了尺度行為，比如性能對太小的依賴性?？蒲腥藛T們發(fā)現(xiàn)，在門信號寬度達到150lm的時候，石墨烯晶體管的運行頻率可以達到空前的26GHz。

IBM還預計，如果能將門信號寬度縮小到50nm，石墨烯晶體管的頻率就有望突破1Tz，也就是1000GHz。

因特爾完成下一代32納米工藝過程開發(fā)工作

2008年12月9日，英特爾公司宣布完成了下一代制造工藝的開發(fā)工作，進一步把芯片電路縮小至32納米。英特爾計劃將于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶體管的產(chǎn)品。

英特爾公司在舊金山舉行的國際電子器件會議(IEDM)上披露了32納米制程技術的相關細節(jié)及其它主題信息。英特爾將在預定時間內(nèi)完成32納米制程技術的開發(fā)及處理器制造的前期準備工作，這意味著其產(chǎn)品與制程發(fā)展計劃“Tick-tock”戰(zhàn)略再次得以成功實施。

“Tick-tock”戰(zhàn)略指英特爾每隔12個月將交替推出全新的處理器微架構(gòu)和領先的制程技術，這一獨特的發(fā)展模式推動了產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。隨著明年32納米芯片的推出，這將是英特爾公司連續(xù)第四年實現(xiàn)“Tick-tock”戰(zhàn)略目標。

英特爾即將的32納米論文及報告介紹了新的邏輯技術，融合了第二代高K金屬柵極技術、面向關鍵圖案形成層的193納米浸沒式光刻技術以及增強型溝道應變技術。這些特性進一步增強了英特爾處理器的性能和能效。與現(xiàn)有的其它32納米技術相比，英特爾的制程技術擁有業(yè)內(nèi)最高的晶體管性能和晶體管密度。

ST-NXP Wireless開始量產(chǎn)3G/UMA芯片平臺

2008年12月15日，ST-NXP Wireless宣布全球首款3G非授權移動接入(UMA)芯片組平臺已經(jīng)投入量產(chǎn)，為固網(wǎng)移動融合手機實現(xiàn)更強大的多媒體功能。7210 UMA蜂窩系統(tǒng)解決方案是首款在單個解決方案中結(jié)合UMA和3G技術的產(chǎn)品，能幫助手機制造商打造更多種的高速手機，增強競爭優(yōu)勢。

用戶可通過雙模3G UMA手機在UMTS蜂窩網(wǎng)絡、GSM/EDGE網(wǎng)絡、家用或企業(yè)級WiFi接人點之間無縫漫游和切換。7210 UMA蜂窩系統(tǒng)解決方案不僅在連接性能和語音質(zhì)量上有重大改進，還能在UMA網(wǎng)絡上提供快于每秒1Mbits的數(shù)據(jù)傳輸速度。這一新的進展意味著用戶只需一個手機，就能在速度極高的3G或WiFi網(wǎng)絡上快速瀏覽網(wǎng)頁，享受視頻流服務及訪問社交網(wǎng)絡。

ST-NXP WirClss蜂窩系統(tǒng)高級副總裁兼總經(jīng)理DanRabinovitsj表示：“固網(wǎng)移動融合服務的下一階段就是讓消費者擁有速度更快、內(nèi)容更豐富、以及更簡單的寬帶體驗。在WiFi熱區(qū)，用戶在訪問流行的社交網(wǎng)站時能明顯感受速度的提升，在觀看喜歡的網(wǎng)絡視頻時可享受流暢畫面。這讓用戶在UMTS功能手機上就能感受一般只有在PC上才擁有的寬帶體驗?！?/p>

聯(lián)想雙屏幕筆記本電腦ThinkPad W700ds

日前，聯(lián)想首款使用雙屏幕設計的筆記本ThinkPadW700ds已正式，這款筆記本擁有17英寸+10.6英寸雙顯示屏設計，聯(lián)想把這款筆記本定位為“移動工作站”產(chǎn)品。

ThinkPad W700ds使用了Intel四核Core2系列處理器，NVIDIA Quadro移動版顯卡，另外還配備了8GB的DDR3內(nèi)存及雙傳統(tǒng)硬盤或雙固態(tài)硬盤設計，最高可擁有960GB存儲容量。

第3篇：微納米制造技術及應用范文

>> 今年春天,向往之地 我們向往的春天 國產(chǎn)FPGA要爭業(yè)界第三 國產(chǎn)備份軟件的春天 向往 你如何看待國產(chǎn)單機的春天 國產(chǎn)手機的春天是否來到 國產(chǎn)手機能否留住春天 “公車”自主：國產(chǎn)品牌的春天 國產(chǎn)科幻電影的春天來了嗎？ 微軟xp將退役，國產(chǎn)軟件是否春天將至？ 東方通：迎來國產(chǎn)軟件商的春天 國產(chǎn)動畫電影春天還有多遠？ 農(nóng)村市場啟動 國產(chǎn)壁掛爐迎來春天 國產(chǎn)手機的春天在哪 向往安詳 向往香港 向往草原 向往自由 向往超越 常見問題解答 當前所在位置：

關鍵詞：FPGA；京微雅格；MCU；本土

DOI： 10.3969/j.issn.1005-5517.2013.9.004

萌出的小苗

王海力博士，清華大學計算機專業(yè)畢業(yè)，2005年加入了剛剛成立的京微雅格公司。在王海力等人的辛勤努力下，第一批FPGA產(chǎn)品于2010年上市銷售，2011年營業(yè)額達129萬元人民幣，2012年實現(xiàn)了305萬元，今年希望突破一千萬元大關。隨著公司業(yè)務的壯大，王海力博士的事業(yè)也在不斷成長，如今他已是京微雅格的企業(yè)規(guī)劃與業(yè)務發(fā)展總監(jiān)，公司管理團隊成員之一。

為何京微雅格的營業(yè)額能夠迅速崛起？首先，F(xiàn)PGA是未來20年里重要的基礎芯片，不僅發(fā)展?jié)摿Υ螅灿袘?zhàn)略意義，因此受到了國家的高度重視。王海力博士引用了去年在美國加州舉行的“FPGA 2032”大會上的報告，大會由業(yè)界頂尖的專家對FPGA技術未來20年的走向進行了預測。會議認為，在2032年的主流器件中，除了MCU/CPU、SRAM、存儲器等，F(xiàn)PGA也將是一種最基礎的器件。另外，F(xiàn)PGA這種概念元素未來也一定會集成到各種各樣的芯片中，包括小到生物芯片等看不見摸不到的芯片。因此，做好FPGA這種邏輯可編程的靈活芯片，對國家來說具有長遠的戰(zhàn)略意義。

其次，像許多中國芯公司一樣，京微雅格也具有唯一性的特點——是世界上唯一在美國硅谷以外開發(fā)出FPGA產(chǎn)品的公司，因此能夠吸引政府和社會各界的關注和投資。京微雅格的前身是2003年在美國硅谷創(chuàng)辦的Agate Logic公司，2005年與清華大學合作遷來中國北京，累計投資超過5000萬美元。公司經(jīng)歷了十個年頭，先后研發(fā)出7款具有自主知識產(chǎn)權的集FPGA、CPU、存儲器為一體的可編程系統(tǒng)芯片。如今推出應用級的第 6代產(chǎn)品CME-M“山”系列，也宣告京微雅格自主創(chuàng)新技術平臺--可配置應用（CAP）自此形成了較完善的硬件和軟件支持平臺。

再有，京微雅格自身的努力。例如，F(xiàn)PGA最難逾越的一個關鍵環(huán)節(jié)是體系結(jié)構(gòu)，即邏輯結(jié)構(gòu)怎么設計，繞線之間應該怎樣互聯(lián)，因為Xilinx和Altera有將近六千項專利在保護這方面。京微雅格經(jīng)過6代產(chǎn)品的研發(fā)和改進，終于推出了具備自主知識產(chǎn)權的Tile架構(gòu)。

最后，我國FPGA領域已有多年積淀，為京微雅格的生態(tài)環(huán)境進行了鋪墊。上世紀八九十年代及國家十一五規(guī)劃已經(jīng)進行了很多FPGA的理論研究，諸如復旦大學微電子系、中科院的微電子所和電子所、清華大學計算機系等做了面向FPGA/ASIC的硬件及EDA工具的開發(fā)。一些本土企業(yè)也從“先學習，再逆向”的方法做起了FPGA。在研發(fā)上，大家可以互相支持和合作，例如軍工等領域?qū)馆椛涞扔刑厥庖?，京微雅格將與中科院、772所等本土科研院所探討合作機會。

打造生態(tài)環(huán)境

王海力博士說，F(xiàn)PGA技術上主要有四個難點：架構(gòu)設計、硬件實現(xiàn)、軟件開發(fā)以及應用IP開發(fā)。京微雅格公司較為完整地解決配套供應鏈問題。很多FPGA公司功虧一簣的關鍵原因，在于軟件發(fā)展的不同步。在 FPGA的發(fā)展壯大過程中，軟件將占據(jù)60%的重要份量，只有從頭到腳全副武裝，才能更好的幫助用戶完成設計。京微雅格提供的CAP平臺，不僅包括芯片，還包括高效的軟件套件，并為第三方工具提供接口，使客戶很自然的使用第三方開發(fā)工具。

在制造方面，最初的1K邏輯產(chǎn)品M1（衡山）系列是在中芯國際（SMIC）流片，2010年時采用130納米制程。2012年的CME-M5（金山）系列代工伙伴是臺積電（TSMC），采用65納米制程。今年下半年將的CME-M7（寶山）系列代工伙伴是聯(lián)電（UMC），會采用55納米的工藝。

目前，京微雅格集成了增強型8051的“山”系列產(chǎn)品M0、M1、M5已經(jīng)推向市場，整合了ARM CortexM3的M7產(chǎn)品也將面世。

隨著邏輯資源的不斷增加，京微雅格將30K及以上邏輯資源產(chǎn)品定義為“云”系列，計劃明年將有產(chǎn)品問世，主要面向高端市場。

面向超高端市場的應用，京微雅格也在做著技術儲備，未來會規(guī)劃“星”系列的產(chǎn)品。

針對手持終端等移動互聯(lián)網(wǎng)設備對功耗或其他有特殊要求的行業(yè)應用，京微雅格也在規(guī)劃“湖”系列的產(chǎn)品系列，主要強調(diào)低功耗、低成本和高可靠性。

如何成奇葩？

筆者注意到，京微雅格的前期投資5000多萬美元，2012年實現(xiàn)了銷售收入305萬人民幣，可見目前的投入和產(chǎn)出差距還較大。那么，作為一家企業(yè)，京微雅格如何早日實現(xiàn)造血功能？眾所周知，集成電路發(fā)展最需要的是資金和人才，這里不再贅述，只是談談筆者對FPGA市場的粗淺認識和心得。

首先，建議京微雅格專注低端，解決生存問題。京微雅格的前身——Agate Logic就是在美國硅谷走高端的FPGA公司，從其改弦易轍看，京微雅格既不能模仿Achronix公司從Intel-22nm-TriGate合作上橫空出世，也不能和市場雙擎——Xilinx和Altera斗法，低端FPGA市場有Latice當?shù)溃€有被Microsemi納入旗下的Actel FPGA部門在做Cortex-M3 FPGA，另有Quicklogic走超低功耗的便攜式/手機之路。筆者認為，從京微雅格的“山云星湖”規(guī)劃看，過于宏大壯美，精力恐怕會有所分散。建議做好低端，拿下中高端FPGA廠商看不上的利潤，來積聚自主生存的力量。將來如果有足夠的資金，從競爭對手那里挖來一些人才，比自己培養(yǎng)高端人才省力很多。

向春天跋涉

當然，榜樣的力量是無窮的。筆者曾認為展訊是個好榜樣，可惜今年7月已嫁給清華紫光集團，有了穩(wěn)定的飯碗。因此，王海力等人的工作更有挑戰(zhàn)性，他們需要探索前人沒走過的路，不僅為自己追尋春天，還為中國也有好的FPGA！

參考文獻：

[1]Intel.3-D， 22nm： New Technology Delivers An Unprecedented Combination of Performance and Power Efficiency[R/OL].

[2]薛士然.京微雅格：FPGA產(chǎn)業(yè)中的潛力新秀[R/OL]. （2012-7-30）.http：//.cn/article/135161.htm

[3]高揚.“我有一個夢想”--本土FPGA廠商京微雅格之跬步千里[R/OL].（2012-7-30）.http：///fpga/306896

第4篇：微納米制造技術及應用范文

無論是處理器、圖形處理芯片，還是存儲模塊來說，半導體行業(yè)都在盡力提高微芯片的速度。但高速發(fā)展的步伐可能會遇到巨大的障礙。問題來自于更快的時鐘速率導致的發(fā)熱，因為現(xiàn)代半導體架構(gòu)只有幾層原子厚。量子效應導致層之間的電流泄露變得越來越嚴重，芯片能耗和熱損失也在急劇增加。在過去三年中，CPU的平均功耗幾乎增加了一倍。在極端的情況下，超過100w的能量被浪費在產(chǎn)生熱量上了，而且這個數(shù)字還在增加。

如何有效地為處理器降溫對于PC及配件生產(chǎn)廠家來說成了一個越來越難以解決的問題。許多廠家采取應對措施，發(fā)展的步伐并沒有停止，10GHz的處理器也將在2007年初現(xiàn)曙光。

Gordon Moore在Intel成立之初是技術總監(jiān)，他在1965年提出半導體芯片的復雜程度將在每18個月增加一倍，而計算能力也將同比增長，這就是一一著名的摩爾定律。

在其后的將近40年中，行業(yè)的發(fā)展都基本符合了這一定律，看起來似乎它還將在未來十年中繼續(xù)有效。

目前處理器技術的基礎是CMOS(互補金屬氧化物半導體，ComplementaryMetaI Oxide Semiconductor)晶體管。一個晶體管有三個基本部分構(gòu)成：源極、柵極和漏極。如果在柵極加載一個電壓，源極到漏極之間就形成了一個電流的通路。電流流經(jīng)的路線叫溝槽。如果在柵極上沒有電壓，那么晶體管就把這個通路阻斷，也就是處于關閉的狀態(tài)。通過利用這種功能，多個晶體管一起可以組成各種電路。六個晶體管就足夠在存儲芯片中形成一個存儲單元了。但是現(xiàn)代處理器或者圖形芯片復雜的功能性經(jīng)常需要超過10，000個晶體管共同構(gòu)成一個存儲單元。總的來說，在處理器中晶體管的數(shù)目相當巨大：在最新的AMDAthlon 64中有1億600萬個，而在Intel的Pentium 4中有1億2500萬個，所有這些晶體管都分布在指甲蓋大小的面積上。圖形芯片甚至更為復雜：Nvidia的Geforce FX 6800就有2億2200萬個晶體管。

隨著時間的推移人們需要以更小的半導體架構(gòu)來集成大量的晶體管，而且要達到更高的頻率。

目前在PC領域中所使用的最多還是是0.13微米(一微米是一米的百萬分之一，有時可以看到它的舊稱“micron”)的晶體管。從2004年初開始，Intel在它的Prescott Pentium 4 CPU中使用90納米(0.09微米)制造工藝，最近AMD也開始使用這一工藝標準。

目前半導體制造商們已經(jīng)開始研究65納米的技術，并且已經(jīng)計劃在2007年能夠采用45納米的技術。在2011年，技術進步將達到22納米的水平。這些結(jié)構(gòu)是通過影印術(photographic)、氣相沉積(vapour depositlon)，蝕刻術和切割等一系列工序加工而成的。在處理器被加工完成之前，需要完成幾百個獨立的步驟和非常耗時的程序。

如果在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)了電力供應中斷(就如同1999年臺灣地震后的情況)，那么幾個星期的努力就將付諸東流。

分層結(jié)構(gòu)

半導體制造業(yè)的基礎是建立在小小的、非常精巧的、純硅的薄片之上的晶元(wafer)。晶元是在嚴格真空的條件下，由不同的材料層嚴格支撐的。 光學刻蝕(photo―lithography)術是通過交替在光源中暴露和蝕刻，然后在晶元上刻出相應的溝槽。晶元的每層上都有光致抗蝕次(photosensitiveresist)，在曝光過程中，被照射到的部分下面的材料會被蝕刻。通過使用越來越強的光源，就有可能制造出越來越微小的電路。光學刻蝕的大小直接取決于所采用的光波的波長，通過使用更高的光照能源，這個數(shù)值也會隨之減小

更低的成本

生產(chǎn)芯片時所采用晶元的大小對于生產(chǎn)成本影響巨大。目前大部分的生產(chǎn)廠商都正在從200mm轉(zhuǎn)向使用300mm的晶元，因為這樣的話，每個晶元上所能生產(chǎn)的芯片數(shù)目幾乎增加了一倍。

單一晶元上所能生產(chǎn)的芯片數(shù)目的增加是由于隨著半徑的擴大而擴大，300mm的晶元意味著在邊角部分切割出矩形芯片所浪費的面積會更少。使用更大的晶元還能夠?qū)⑸a(chǎn)每個芯片平均耗費的水、電降低最多40％。

新技術

目前產(chǎn)品化的熱點是絕緣體上覆硅晶(Silicon on lnsulator，SOI)、稱之為高K(high-k dielectrics)的材料和應變硅(strained silicon)技術。

目前處理器制造商必須解決的另一個問題是由于源極一漏極之間的溝道和柵極之間越來越薄的阻斷層(barrierlayer)造成的。AMD正在使用SOl技術來解決源極和漏極之間電流泄露的問題。通過在源極和漏極結(jié)果中使用一個附加的絕緣氧化層，可以極大地減少了由于電流泄露造成的干擾。

在目前的90納米的晶體管制造工藝中，1.2納米厚二氧化硅層只有相當于幾層原子的厚度，很快就會失去絕緣性能。如果有微弱的電流穿透它，就會增加功耗。這就導致了在柵極中高K絕緣體的應用，也就是說使這些層具有更高的電容率。這提高了晶體管的性能和轉(zhuǎn)換速度，同時使得3納米的、更厚的阻斷層成為可能。電流泄露現(xiàn)象可以被減少。InteI計劃在2007年的45納米制造工藝中使用高K絕緣體。

應變硅(Strained silicon)技術可以減少晶體管的反應時間。只要將一張帶有張力的硅鍺薄膜被放在溝道區(qū)域，就可以改變了半導體結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。這導致了更大的原子通過空間，使電流中的電子的遷移率提高30％。

應變硅技術的原理是硅鍺層(SiGe)的網(wǎng)格大小大干純硅的網(wǎng)格，因此在拉伸方向的電子遷移率就會提高，這樣減少了襯底層的寄生三極管所獲得的電壓。2004年年底AMD就在它的90納米的Athlon 64 OPUs中已經(jīng)采用了SOI和應變硅兩項技術。

晶體管向立體發(fā)展

在將來，AMD和Intel都計劃采用立體結(jié)構(gòu)來進行晶體管設計：不同于傳統(tǒng)晶體管，它采用的是立體結(jié)構(gòu)，電流從源極到漏極之間進行立體的流動。更大的接觸面積提高了電流的傳導率，并且有效減少了電流泄露。

第5篇：微納米制造技術及應用范文

關鍵詞：納米科學納米技術納米管納米線納米團簇半導體

NanoscienceandNanotechnology–theSecondRevolution

Abstract:Thefirstrevolutionofnanosciencetookplaceinthepast10years.Inthisperiod,researchersinChina,HongKongandworldwidehavedemonstratedtheabilitytofabricatelargequantitiesofnanotubes,nanowiresandnanoclustersofdifferentmaterials,usingeitherthe“build-up”or“build-down”approach.Theseeffortshaveshownthatifnanostructurescanbefabricatedinexpensively,therearemanyrewardstobereaped.Structuressmallerthan20nmexhibitnon-classicalpropertiesandtheyofferthebasisforentirelydifferentthinkinginmakingdevicesandhowdevicesfunction.Theabilitytofabricatestructureswithdimensionlessthan70nmallowthecontinuationofminiaturizationofdevicesinthesemiconductorindustry.Thesecondnanoscienceandnantechnologyrevolutionwilllikelytakeplaceinthenext10years.Inthisnewperiod,scientistsandengineerswillneedtoshowthatthepotentialandpromiseofnanostructurescanberealized.Therealizationisthefabricationofpracticaldeviceswithgoodcontrolinsize,composition,orderandpuritysothatsuchdeviceswilldeliverthepromisedfunctions.Weshalldiscusssomedifficultiesandchallengesfacedinthisnewperiod.Anumberofalternativeapproacheswillbediscussed.Weshallalsodiscusssomeoftherewardsifthesedifficultiescanbeovercome.

Keywords:Nanoscience,Nanotechnology,Nanotubes,Nanowires,Nanoclusters,“build-up”,“build-down”,Semiconductor

I.引言

納米科學和技術所涉及的是具有尺寸在1-100納米范圍的結(jié)構(gòu)的制備和表征。在這個領域的研究舉世矚目。例如，美國政府2001財政年度在納米尺度科學上的投入要比2000財政年增長83%，達到5億美金。有兩個主要的理由導致人們對納米尺度結(jié)構(gòu)和器件的興趣的增加。第一個理由是，納米結(jié)構(gòu)（尺度小于20納米）足夠小以至于量子力學效應占主導地位，這導致非經(jīng)典的行為，譬如，量子限制效應和分立化的能態(tài)、庫侖阻塞以及單電子邃穿等。這些現(xiàn)象除引起人們對基礎物理的興趣外，亦給我們帶來全新的器件制備和功能實現(xiàn)的想法和觀念，例如，單電子輸運器件和量子點激光器等。第二個理由是，在半導體工業(yè)有器件持續(xù)微型化的趨勢。根據(jù)“國際半導體技術路向（2001）“雜志，2005年前動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和微處理器（MPU）的特征尺寸預期降到80納米，而MPU中器件的柵長更是預期降到45納米。然而，到2003年在MPU制造中一些不知其解的問題預期就會出現(xiàn)。到2005年類似的問題將預期出現(xiàn)在DRAM的制造過程中。半導體器件特征尺寸的深度縮小不僅要求新型光刻技術保證能使尺度刻的更小，而且要求全新的器件設計和制造方案，因為當MOS器件的尺寸縮小到一定程度時基礎物理極限就會達到。隨著傳統(tǒng)器件尺寸的進一步縮小，量子效應比如載流子邃穿會造成器件漏電流的增加，這是我們不想要的但卻是不可避免的。因此，解決方案將會是制造基于量子效應操作機制的新型器件，以便小物理尺寸對器件功能是有益且必要的而不是有害的。如果我們能夠制造納米尺度的器件，我們肯定會獲益良多。譬如，在電子學上，單電子輸運器件如單電子晶體管、旋轉(zhuǎn)柵門管以及電子泵給我們帶來諸多的微尺度好處，他們僅僅通過數(shù)個而非以往的成千上萬的電子來運作，這導致超低的能量消耗，在功率耗散上也顯著減弱，以及帶來快得多的開關速度。在光電子學上，量子點激光器展現(xiàn)出低閾值電流密度、弱閾值電流溫度依賴以及大的微分增益等優(yōu)點，其中大微分增益可以產(chǎn)生大的調(diào)制帶寬。在傳感器件應用上，納米傳感器和納米探測器能夠測量極其微量的化學和生物分子，而且開啟了細胞內(nèi)探測的可能性，這將導致生物醫(yī)學上迷你型的侵入診斷技術出現(xiàn)。納米尺度量子點的其他器件應用，比如，鐵磁量子點磁記憶器件、量子點自旋過濾器及自旋記憶器等，也已經(jīng)被提出，可以肯定這些應用會給我們帶來許多潛在的好處。總而言之，無論是從基礎研究（探索基于非經(jīng)典效應的新物理現(xiàn)象）的觀念出發(fā)，還是從應用（受因結(jié)構(gòu)減少空間維度而帶來的優(yōu)點以及因應半導體器件特征尺寸持續(xù)減小而需要這兩個方面的因素驅(qū)使）的角度來看，納米結(jié)構(gòu)都是令人極其感興趣的。

II.納米結(jié)構(gòu)的制備———首次浪潮

有兩種制備納米結(jié)構(gòu)的基本方法：build-up和build-down。所謂build-up方法就是將已預制好的納米部件（納米團簇、納米線以及納米管）組裝起來；而build-down方法就是將納米結(jié)構(gòu)直接地淀積在襯底上。前一種方法包含有三個基本步驟：1）納米部件的制備；2）納米部件的整理和篩選；3）納米部件組裝成器件（這可以包括不同的步驟如固定在襯底及電接觸的淀積等等）?！癰uild-up“的優(yōu)點是個體納米部件的制備成本低以及工藝簡單快捷。有多種方法如氣相合成以及膠體化學合成可以用來制備納米元件。目前，在國內(nèi)、在香港以及在世界上許多的實驗室里這些方法正在被用來合成不同材料的納米線、納米管以及納米團簇。這些努力已經(jīng)證明了這些方法的有效性。這些合成方法的主要缺點是材料純潔度較差、材料成份難以控制以及相當大的尺寸和形狀的分布。此外，這些納米結(jié)構(gòu)的合成后工藝再加工相當困難。特別是，如何整理和篩選有著窄尺寸分布的納米元件是一個至關重要的問題，這一問題迄今仍未有解決。盡管存在如上的困難和問題，“build-up“依然是一種能合成大量納米團簇以及納米線、納米管的有效且簡單的方法?？墒沁@些合成的納米結(jié)構(gòu)直到目前為止仍然難以有什么實際應用，這是因為它們?nèi)狈嵱盟燎蟮某叽?、組份以及材料純度方面的要求。而且，因為同樣的原因用這種方法合成的納米結(jié)構(gòu)的功能性質(zhì)相當差。不過上述方法似乎適宜用來制造傳感器件以及生物和化學探測器，原因是垂直于襯底生長的納米結(jié)構(gòu)適合此類的應用要求。

“Build-down”方法提供了杰出的材料純度控制，而且它的制造機理與現(xiàn)代工業(yè)裝置相匹配，換句話說，它是利用廣泛已知的各種外延技術如分子束外延(MBE)、化學氣相淀積（MOVCD）等來進行器件制造的傳統(tǒng)方法?！癇uild-down”方法的缺點是較高的成本。在“build-down”方法中有幾條不同的技術路徑來制造納米結(jié)構(gòu)。最簡單的一種，也是最早使用的一種是直接在襯底上刻蝕結(jié)構(gòu)來得到量子點或者量子線。另外一種是包括用離子注入來形成納米結(jié)構(gòu)。這兩種技術都要求使用開有小尺寸窗口的光刻版。第三種技術是通過自組裝機制來制造量子點結(jié)構(gòu)。自組裝方法是在晶格失配的材料中自然生長納米尺度的島。在Stranski-Krastanov生長模式中，當材料生長到一定厚度后，二維的逐層生長將轉(zhuǎn)換成三維的島狀生長，這時量子點就會生成。業(yè)已證明基于自組裝量子點的激光器件具有比量子阱激光器更好的性能。量子點器件的飽和材料增益要比相應的量子阱器件大50倍，微分增益也要高3個量級。閾值電流密度低于100A/cm2、室溫輸出功率在瓦特量級（典型的量子阱基激光器的輸出功率是5-50mW）的連續(xù)波量子點激光器也已經(jīng)報道。無論是何種材料系統(tǒng)，量子點激光器件都預期具有低閾值電流密度，這預示目前還要求在大閾值電流條件下才能激射的寬帶系材料如III組氮化物基激光器還有很大的顯著改善其性能的空間。目前這類器件的性能已經(jīng)接近或達到商業(yè)化器件所要求的指標，預期量子點基的此類材料激光器將很快在市場上出現(xiàn)。量子點基光電子器件的進一步改善主要取決于量子點幾何結(jié)構(gòu)的優(yōu)化。雖然在生長條件上如襯底溫度、生長元素的分氣壓等的變化能夠在一定程度上控制點的尺寸和密度，自組裝量子點還是典型底表現(xiàn)出在大小、密度及位置上的隨機變化，其中僅僅是密度可以粗糙地控制。自組裝量子點在尺寸上的漲落導致它們的光發(fā)射的非均勻展寬，因此減弱了使用零維體系制作器件所期望的優(yōu)點。由于量子點尺寸的統(tǒng)計漲落和位置的隨機變化，一層含有自組裝量子點材料的光致發(fā)光譜典型地很寬。在豎直疊立的多層量子點結(jié)構(gòu)中這種譜展寬效應可以被減弱。如果隔離層足夠薄，豎直疊立的多層量子點可典型地展現(xiàn)出豎直對準排列，這可以有效地改善量子點的均勻性。然而，當隔離層薄的時候，在一列量子點中存在載流子的耦合，這將失去因使用零維系統(tǒng)而帶來的優(yōu)點。怎樣優(yōu)化量子點的尺寸和隔離層的厚度以便既能獲得好均勻性的量子點又同時保持載流子能夠限制在量子點的個體中對于獲得器件的良好性能是至關重要的。

很清楚納米科學的首次浪潮發(fā)生在過去的十年中。在這段時期，研究者已經(jīng)證明了納米結(jié)構(gòu)的許多嶄新的性質(zhì)。學者們更進一步征明可以用“build-down”或者“build-up”方法來進行納米結(jié)構(gòu)制造。這些成果向我們展示，如果納米結(jié)構(gòu)能夠大量且廉價地被制造出來，我們必將收獲更多的成果。

在未來的十年中，納米科學和技術的第二次浪潮很可能發(fā)生。在這個新的時期，科學家和工程師需要征明納米結(jié)構(gòu)的潛能以及期望功能能夠得到兌現(xiàn)。只有獲得在尺寸、成份、位序以及材料純度上良好可控能力并成功地制造出實用器件才能實現(xiàn)人們對納米器件所期望的功能。因此，納米科學的下次浪潮的關鍵點是納米結(jié)構(gòu)的人為可控性。

III.納米結(jié)構(gòu)尺寸、成份、位序以及密度的控制——第二次浪潮

為了充分發(fā)揮量子點的優(yōu)勢之處，我們必須能夠控制量子點的位置、大小、成份已及密度。其中一個可行的方法是將量子點生長在已經(jīng)預刻有圖形的襯底上。由于量子點的橫向尺寸要處在10-20納米范圍（或者更小才能避免高激發(fā)態(tài)子能級效應，如對于GaN材料量子點的橫向尺寸要小于8納米）才能實現(xiàn)室溫工作的光電子器件，在襯底上刻蝕如此小的圖形是一項挑戰(zhàn)性的技術難題。對于單電子晶體管來說，如果它們能在室溫下工作，則要求量子點的直徑要小至1-5納米的范圍。這些微小尺度要求已超過了傳統(tǒng)光刻所能達到的精度極限。有幾項技術可望用于如此的襯底圖形制作。

—電子束光刻通常可以用來制作特征尺度小至50納米的圖形。如果特殊薄膜能夠用作襯底來最小化電子散射問題，那特征尺寸小至2納米的圖形可以制作出來。在電子束光刻中的電子散射因為所謂近鄰干擾效應（proximityeffect）而嚴重影響了光刻的極限精度，這個效應造成制備空間上緊鄰的納米結(jié)構(gòu)的困難。這項技術的主要缺點是相當費時。例如，刻寫一張4英寸的硅片需要時間1小時，這不適宜于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。電子束投影系統(tǒng)如SCALPEL（scatteringwithangularlimitationprojectionelectronlithography）正在發(fā)展之中以便使這項技術較適于用于規(guī)模生產(chǎn)。目前，耗時和近鄰干擾效應這兩個問題還沒有得到解決。

—聚焦離子束光刻是一種機制上類似于電子束光刻的技術。但不同于電子束光刻的是這種技術并不受在光刻膠中的離子散射以及從襯底來的離子背散射影響。它能刻出特征尺寸細到6納米的圖形，但它也是一種耗時的技術，而且高能離子束可能造成襯底損傷。

—掃描微探針術可以用來劃刻或者氧化襯底表面，甚至可以用來操縱單個原子和分子。最常用的方法是基于材料在探針作用下引入的高度局域化增強的氧化機制的。此項技術已經(jīng)用來刻劃金屬（Ti和Cr）、半導體（Si和GaAs）以及絕緣材料（Si3N4和silohexanes），還用在LB膜和自聚集分子單膜上。此種方法具有可逆和簡單易行等優(yōu)點。引入的氧化圖形依賴于實驗條件如掃描速度、樣片偏壓以及環(huán)境濕度等?？臻g分辨率受限于針尖尺寸和形狀（雖然氧化區(qū)域典型地小于針尖尺寸）。這項技術已用于制造有序的量子點陣列和單電子晶體管。這項技術的主要缺點是處理速度慢（典型的刻寫速度為1mm/s量級）。然而，最近在原子力顯微術上的技術進展—使用懸臂樑陣列已將掃描速度提高到4mm/s。此項技術的顯著優(yōu)點是它的杰出的分辨率和能產(chǎn)生任意幾何形狀的圖形能力。但是，是否在刻寫速度上的改善能使它適用于除制造光刻版和原型器件之外的其他目的還有待于觀察。直到目前為止，它是一項能操控單個原子和分子的唯一技術。

—多孔膜作為淀積掩版的技術。多孔膜能用多種光刻術再加腐蝕來制備，它也可以用簡單的陽極氧化方法來制備。鋁膜在酸性腐蝕液中陽極氧化就可以在鋁膜上產(chǎn)生六角密堆的空洞，空洞的尺寸可以控制在5-200nm范圍。制備多孔膜的其他方法是從納米溝道玻璃膜復制。用這項技術已制造出含有細至40nm的空洞的鎢、鉬、鉑以及金膜。

—倍塞（diblock）共聚物圖形制作術是一種基于不同聚合物的混合物能夠產(chǎn)生可控及可重復的相分離機制的技術。目前，經(jīng)過反應離子刻蝕后，在旋轉(zhuǎn)涂敷的倍塞共聚物層中產(chǎn)生的圖形已被成功地轉(zhuǎn)移到Si3N4膜上，圖形中空洞直徑20nm，空洞之間間距40nm。在聚苯乙烯基體中的自組織形成的聚異戊二烯（polyisoprene）或聚丁二烯（polybutadiene）球（或者柱體）可以被臭氧去掉或者通過鋨染色而保留下來。在第一種情況，空洞能夠在氮化硅上產(chǎn)生；在第二種情況，島狀結(jié)構(gòu)能夠產(chǎn)生。目前利用倍塞共聚物光刻技術已制造出GaAs納米結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)的側(cè)向特征尺寸約為23nm,密度高達1011/cm2。

—與倍塞共聚物圖形制作術緊密相關的一項技術是納米球珠光刻術。此項技術的基本思路是將在旋轉(zhuǎn)涂敷的球珠膜中形成的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。各種尺寸的聚合物球珠是商業(yè)化的產(chǎn)品。然而，要制作出含有良好有序的小尺寸球珠薄膜也是比較困難的。用球珠單層膜已能制備出特征尺寸約為球珠直徑1/5的三角形圖形。雙層膜納米球珠掩膜版也已被制作出。能夠在金屬、半導體以及絕緣體襯底上使用納米球珠光刻術的能力已得到確認。納米球珠光刻術（納米球珠膜的旋轉(zhuǎn)涂敷結(jié)合反應離子刻蝕）已被用來在一些半導體表面上制造空洞和柱狀體納米結(jié)構(gòu)。

—將圖形從母體版轉(zhuǎn)移到襯底上的其他光刻技術。幾種所謂“軟光刻“方法，比如復制鑄模法、微接觸印刷法、溶劑輔助鑄模法以及用硬模版浮雕法等已被探索開發(fā)。其中微接觸印刷法已被證明只能用來刻制特征尺寸大于100nm的圖形。復制鑄模法的可能優(yōu)點是ellastometric聚合物可被用來制作成一個戳子，以便可用同一個戳子通過對戳子的機械加壓能夠制作不同側(cè)向尺寸的圖形。在溶劑輔助鑄模法和用硬模版浮雕法（或通常稱之為納米壓印術）之間的主要差異是，前者中溶劑被用于軟化聚合物，而后者中軟化聚合物依靠的是溫度變化。溶劑輔助鑄模法的可能優(yōu)點是不需要加熱。納米壓印術已被證明可用來制作具有容量達400Gb/in2的納米激光光盤，在6英寸硅片上刻制亞100nm分辨的圖形，刻制10nmX40nm面積的長方形，以及在4英寸硅片上進行圖形刻制。除傳統(tǒng)的平面納米壓印光刻法之外，滾軸型納米壓印光刻法也已被提出。在此類技術中溫度被發(fā)現(xiàn)是一個關鍵因素。此外，應該選用具有較低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的聚合物。為了取得高產(chǎn)，下列因素要解決：

1）大的戳子尺寸

2）高圖形密度戳子

3）低穿刺（lowsticking）

4）壓印溫度和壓力的優(yōu)化

5）長戳子壽命。

具有低穿刺率的大尺寸戳子已經(jīng)被制作出來。已有少量研究工作在試圖優(yōu)化壓印溫度和壓力，但顯然需要進行更多的研究工作才能得到溫度和壓力的優(yōu)化參數(shù)。高圖形密度戳子的制作依然在發(fā)展之中。還沒有足夠量的工作來研究戳子的壽命問題。曾有研究報告報道，覆蓋有超薄的特氟隆類薄膜的模板可以用來進行50次的浮刻而不需要中間清洗。報告指出最大的性能退化來自于嵌在戳子和聚合物之間的灰塵顆粒。如果戳子是從ellastometric母版制作出來的，抗穿刺層可能需要使用，而且進行大約5次壓印后需要更換。值得關心的其他可能問題包括鑲嵌的灰塵顆引起的戳子損傷或聚合物中圖形損傷，以及連續(xù)壓印之間戳子的清洗需要等。盡管進一步的優(yōu)化和改良是必需的，但此項技術似乎有希望獲得高生產(chǎn)率。壓印過程包括對準、加熱及冷卻循環(huán)等，整個過程所需時間大約20分鐘。使用具有較低玻璃化轉(zhuǎn)換溫度的聚合物可以縮短加熱和冷卻循環(huán)所需時間，因此可以縮短整個壓印過程時間。

IV．納米制造所面對的困難和挑戰(zhàn)

上述每一種用于在襯底上圖形刻制的技術都有其優(yōu)點和缺點。目前，似乎沒有哪個單一種技術可以用來高產(chǎn)量地刻制納米尺度且任意形狀的圖形。我們可以將圖形刻制的全過程分成下列步驟：

1．在一塊模版上刻寫圖形

2．在過渡性或者功能性材料上復制模版上的圖形

3．轉(zhuǎn)移在過渡性或者功能性材料上復制的圖形。

很顯然第二步是最具挑戰(zhàn)性的一步。先前描述的各項技術，例如電子束光刻或者掃描微探針光刻技術，已經(jīng)能夠刻寫非常細小的圖形。然而，這些技術都因相當費時而不適于規(guī)模生產(chǎn)。納米壓印術則因可作多片并行處理而可能解決規(guī)模生產(chǎn)問題。此項技術似乎很有希望，但是在它能被廣泛應用之前現(xiàn)存的嚴重的材料問題必須加以解決。納米球珠和倍塞共聚物光刻術則提供了將第一步和第二步整合的解決方案。在這些技術中，圖形由球珠的尺寸或者倍塞共聚物的成分來確定。然而，用這兩種光刻術刻寫的納米結(jié)構(gòu)的形狀非常有限。當這些技術被人們看好有很大的希望用來刻寫圖形以便生長出有序的納米量子點陣列時，它們卻完全不適于用來刻制任意形狀和復雜結(jié)構(gòu)的圖形。為了能夠制造出高質(zhì)量的納米器件，不但必須能夠可靠地將圖形轉(zhuǎn)移到功能材料上，還必須保證在刻蝕過程中引入最小的損傷。濕法腐蝕技術典型地不產(chǎn)生或者產(chǎn)生最小的損傷，可是濕法腐蝕并不十分適于制備需要陡峭側(cè)墻的結(jié)構(gòu)，這是因為在掩模版下一定程度的鉆蝕是不可避免的，而這個鉆蝕決定性地影響微小結(jié)構(gòu)的刻制。另一方面，用干法刻蝕技術，譬如，反應離子刻蝕(RIE)或者電子回旋共振（ECR）刻蝕，在優(yōu)化條件下可以獲得陡峭的側(cè)墻。直到今天大多數(shù)刻蝕研究都集中于刻蝕速度以及刻蝕出垂直墻的能力，而關于刻蝕引入損傷的研究嚴重不足。已有研究表明，能在表面下100nm深處探測到刻蝕引入的損傷。當器件中的個別有源區(qū)尺寸小于100nm時，如此大的損傷是不能接受的。還有就是因為所有的納米結(jié)構(gòu)都有大的表面-體積比，必須盡可能地減少在納米結(jié)構(gòu)表面或者靠近的任何缺陷。

隨著器件持續(xù)微型化的趨勢的發(fā)展，普通光刻技術的精度將很快達到它的由光的衍射定律以及材料物理性質(zhì)所確定的基本物理極限。通過采用深紫外光和相移版，以及修正光學近鄰干擾效應等措施，特征尺寸小至80nm的圖形已能用普通光刻技術制備出。然而不大可能用普通光刻技術再進一步顯著縮小尺寸。采用X光和EUV的光刻技術仍在研發(fā)之中，可是發(fā)展這些技術遇到在光刻膠以及模版制備上的諸多困難。目前來看，雖然也有一些具挑戰(zhàn)性的問題需要解決，特別是需要克服電子束散射以及相關聯(lián)的近鄰干擾效應問題，但投影式電子束光刻似乎是有希望的一種技術。掃描微探針技術提供了能分辨單個原子或分子的無可匹敵的精度，可是此項技術卻有固有的慢速度，目前還不清楚通過給它加裝陣列懸臂樑能否使它達到可以接受的刻寫速度。利用轉(zhuǎn)移在自組裝薄膜中形成的圖形的技術，例如倍塞共聚物以及納米球珠刻寫技術則提供了實現(xiàn)成本不是那么昂貴的大面積圖形刻寫的一種可能途徑。然而，在這種方式下形成的圖形僅局限于點狀或者柱狀圖形。對于制造相對簡單的器件而言，此類技術是足夠用的，但并不能解決微電子工業(yè)所面對的問題。需要將圖形從一張模版復制到聚合物膜上的各種所謂“軟光刻“方法提供了一種并行刻寫的技術途徑。模版可以用其他慢寫技術來刻制，然后在模版上的圖形可以通過要么熱輔助要么溶液輔助的壓印法來復制。同一塊模版可以用來刻寫多塊襯底，而且不像那些依賴化學自組裝圖形形成機制的方法，它可以用來刻制任意形狀的圖形。然而，要想獲得高生產(chǎn)率，某些技術問題如穿刺及因灰塵導致的損傷等問題需要加以解決。對一個理想的納米刻寫技術而言，它的運行和維修成本應該低，它應具備可靠地制備尺寸小但密度高的納米結(jié)構(gòu)的能力，還應有在非平面上刻制圖形的能力以及制備三維結(jié)構(gòu)的功能。此外，它也應能夠做高速并行操作，而且引入的缺陷密度要低。然而時至今日，仍然沒有任何一項能制作亞100nm圖形的單項技術能同時滿足上述所有條件?，F(xiàn)在還難說是否上述技術中的一種或者它們的某種組合會取代傳統(tǒng)的光刻技術。究竟是現(xiàn)有刻寫技術的組合還是一種全新的技術會成為最終的納米刻寫技術還有待于觀察。

另一項挑戰(zhàn)是，為了更新我們關于納米結(jié)構(gòu)的認識和知識，有必要改善現(xiàn)有的表征技術或者發(fā)展一種新技術能夠用來表征單個納米尺度物體。由于自組裝量子點在尺寸上的自然漲落，可信地表征單個納米結(jié)構(gòu)的能力對于研究這些結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)是絕對至關重要的。目前表征單個納米結(jié)構(gòu)的能力非常有限。譬如，沒有一種結(jié)構(gòu)表征工具能夠用來確定一個納米結(jié)構(gòu)的表面結(jié)構(gòu)到0.1À的精度或者更佳。透射電子顯微術(TEM)能夠用來研究一個晶體結(jié)構(gòu)的內(nèi)部情況，但是它不能提供有關表面以及靠近表面的原子排列情況的信息。掃描隧道顯微術（STM）和原子力顯微術（AFM）能夠給出表面某區(qū)域的形貌，但它們并不能提供定量結(jié)構(gòu)信息好到能仔細理解表面性質(zhì)所要求的精度。當近場光學方法能夠給出局部區(qū)域光譜信息時，它們能給出的關于局部雜質(zhì)濃度的信息則很有限。除非目前用來表征表面和體材料的技術能夠擴展到能夠用來研究單個納米體的表面和內(nèi)部情況，否則能夠得到的有關納米結(jié)構(gòu)的所有重要結(jié)構(gòu)和組份的定量信息非常有限。

V.展望

第6篇：微納米制造技術及應用范文

想要考研的你，提及納米科學與技術專業(yè)，是否會列出“神秘”“高薪”“高就業(yè)率”“高科技”這一系列關鍵詞呢？

真正的“高富帥”專業(yè)

如果一定要用一個詞來形容納米專業(yè)，那就是“高富帥”。

說它“高”，是因為它的的確確是高科技的產(chǎn)物。1納米是1米的十億分之一，20納米也僅相當于1根頭發(fā)絲的三千分之一。也正是這么小的尺寸，才能夠用來做材料。不僅如此，納米材料還都帶著“特異功能”，具有奇異的化學物理特性。納米雖小，用途卻大，小尺寸成就大空間，真是高不可測。而研究生階段需要學的課程也很“高”：納米材料的結(jié)構(gòu)、尺寸和形貌的表征技術、納米粉體材料的制備與表面修飾、一維納米材料的制備、納米復合材料的制備、納米結(jié)構(gòu)材料的制備、納米材料的物理特性與應用、納米電子器件的基本原理和微加工技術、納米材料與納米技術的最新進展和發(fā)展趨勢等都是該專業(yè)的主干課。是研究生的必修課，而新專業(yè)的科研空間更加廣闊，所以發(fā)SCI的概率大大增加。想要寫好論文，你就要了解納米材料與技術的最新學科發(fā)展動向、理論前沿、應用前景等。而如果你打算游學海外，就更要在研究生階段狂抓英語了。這一專業(yè)的專業(yè)英語詞匯非常龐雜，有醫(yī)學、化學、物理、材料學等諸多領域，需要系統(tǒng)地學習。筆者碩士一年級的時候大家每周都會用英報告，這樣能有效提高英文水平，即使不打算出國，閱讀國外文獻也會非常流暢，開闊視野。納米專業(yè)確實很“高”，但當你真正鉆研進去，就會發(fā)現(xiàn)它的樂趣。

說它“富”，一點也不夸張。納米技術、信息技術及生物技術被譽為本世紀社會經(jīng)濟發(fā)展的三大支柱。納米從20世紀80年代末，90年代初開始起步，經(jīng)歷二十多年的發(fā)展，現(xiàn)在已經(jīng)成為突飛猛進的前沿、交叉性新型學科。納米技術作為朝陽產(chǎn)業(yè)，將在生物醫(yī)學、航空航天、能源和環(huán)境等領域“大顯身手”。美國國家科學基金會的納米技術高級顧問米哈伊爾·羅科甚至預言：“由于納米技術的出現(xiàn)，在今后30年中，人類文明所經(jīng)歷的變化將會比過去的整個20世紀都要多得多。”如此看來，納米技術必將創(chuàng)造巨大的經(jīng)濟價值，同時也能為該專業(yè)的同學提供良好的職業(yè)發(fā)展平臺。

說它“帥”，是因為它有獨到魅力，吸引青年學子投其懷抱。其實，大部分工科生的研院生活都是相同的，讀文獻、做實驗、組會、聽報告，這些幾乎就是我們讀研生活的全部。想學好納米專業(yè)，你首先要做個雜家。在研究生階段，你要掌握數(shù)學、物理、化學等方面的基本理論和基本知識，學習環(huán)境納米材料的綠色制備及其規(guī)?；嫦颦h(huán)境檢測的納米結(jié)構(gòu)與器件的構(gòu)筑原理、方法，并且了解納米材料與納米結(jié)構(gòu)性能與機理。而做到這些還遠遠不夠，因為理工科專業(yè)的直接目標在于應用，因此還需要學習納米材料在污染治理中的應用原理、技術與裝置研發(fā)、納米材料的環(huán)境效應與安全性評估、納米材料在節(jié)能和清潔能源中的應用等，掌握材料學的工藝裝備、測試手段與評價技術，具備相應的科研能力，具有從事科學研究和解決工程中局部問題的能力。運用納米技術解決這些問題和一般的常規(guī)思路有著很大的不同，有著前路未知的期盼和發(fā)現(xiàn)時的狂喜，為此我們都成為典型的“技術宅”，大部分時間會宅在實驗室里，在外人看來，可能是只顧科研無心生活的“苦行僧”，而只有我們才能體會到納米的“帥”及給我們生活所帶來的樂趣。

想要學好納米專業(yè)，團結(jié)協(xié)作的能力必不可缺。其學習都是以課題組和實驗室為單位，很多作業(yè)和項目都是大家集體完成，比如開發(fā)一種新型的納米材料，大家都有不同的分工，這就需要我們能緊密地合作與溝通，分擔辛苦分享成功。

同時，我們還需要有極強的表達能力和動手實踐的能力。我們學校經(jīng)常舉辦學術沙龍，需要大家上臺演講，不僅本專業(yè)的導師在場，其他專業(yè)的學生和老師也會來聽，并從不同角度提出意見，所以我們要足夠有氣場才能HOLD住場面。而實踐方面，我們都有做老師科研助理的機會，同時開展自己的課題研究，不僅要寫得好論文，還要做好實驗。想讀納米專業(yè)，要做的功課非常多，你只有都嘗試了，才能體會到這個專業(yè)的巨大魅力，才會在科技的海洋里盡情遨游。

就業(yè)面窄是誤區(qū)

對于納米科學與技術專業(yè)，很多人對它的認識存在誤區(qū)。很多人認為，納米作為高精尖技術與日常生活相距太遠，所以想當然地認為其就業(yè)難。

其實，納米真實地存在于我們的日常生活中，而隨著科技的發(fā)展，未來有一天我們的衣食住行都將離不開納米技術。所以如果你能有幸就讀該專業(yè)研究生，并在學術上有所造詣，愿意將所學學以致用，那么你的就業(yè)前景無限光明！

那么納米技術到底是怎樣和實際生活聯(lián)系起來的呢，而我們工科生，又將以何種方式參與這種科技改變?nèi)藗兩畹倪M程呢？

衣：在紡織和化纖制品中添納米微粒，可以除味殺菌?；w布結(jié)實耐磨，但會產(chǎn)生靜電現(xiàn)象，加入少量金屬納米微粒就可消除靜電，穿起來非常舒適。

食：利用納米材料，冰箱的抗菌能力大大增強。納米材料做的無菌餐具、無菌食品包裝用品已經(jīng)進入市場。利用納米粉末，可以使廢水有效凈化，完全達到飲用標準，納米食品色香味俱全，還對健康大有裨益。

住：對于我們這代人而言，居家做家務、清理房間是一大愁事，納米技術的應用可以省下我們很多力氣。通過納米技術，墻面涂料的耐洗刷性可提高10倍。玻璃和瓷磚表面涂上納米薄層，可以制成自潔玻璃和自潔瓷磚，完全不需要擦洗。含有納米微粒的建筑材料，還可以吸收對人體有害的紫外線。既省時省力又對身體好。

行：在出行方面，納米材料可以提高和改進交通工具的性能指標。納米陶瓷有望成為汽車、輪船、飛機等發(fā)動機部件的理想材料，可以大大提高發(fā)動機效率、工作壽命和可靠性。納米球添加劑可以在機車發(fā)動機加入，起到節(jié)省燃油、修復磨損表面、增強機車動力、降低噪音、減少污染物排放、保護環(huán)境的作用。納米衛(wèi)星可以隨時向駕駛?cè)藛T提供交通信息，幫助其安全駕駛。

而這些，只是納米科技應用在生活中的很小一部分，納米技術興起晚，發(fā)展態(tài)勢迅猛，更多的核心技術需要我們這一代去發(fā)掘，以期使之更好地為民生服務。可見納米技術在日常生活中無處不在，各行各業(yè)都需要擁有高技術高學歷的納米技術專業(yè)人才，所以就業(yè)前景廣闊。

具體的就業(yè)方向，男生、女生之間相差很大。納米專業(yè)的大部分女碩士，特別是女博士一般選擇到大學或科研院所做研究。研究領域涵蓋納米材料、黏合劑、涂料、電鍍、陶瓷等相關領域，從事相關產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)和檢測等方面。大部分男生會去納米材料行業(yè)企業(yè)或傳統(tǒng)材料相關企業(yè)供職。可以從事納米材料表征、石墨烯及碳納米材料研發(fā)、納米材料改性、納米材料合成、無機納米材料制備以及交叉學科納米材料應用的相關工作。

跨專業(yè)報考受青睞

納米科學與技術是一個技術性很強的專業(yè)，不過并不限制跨專業(yè)報考，納米科學與技術專業(yè)不僅不是個排外的“高富帥”，反而非常歡迎跨專業(yè)的學生融入其中，共同搭建納米專業(yè)的大舞臺。納米科學與技術專業(yè)在工科或理科門類招生，不同學校有所不同，但都非常歡迎與之類似的材料專業(yè)同學報考，因為都涉及材料學的基礎知識，所以學起來會得心應手。同時，理工科專業(yè)背景如物理、化學甚至數(shù)學這類基礎學科出身的學生，也很受該專業(yè)歡迎。

在報考納米科學與技術專業(yè)的學生中，也有一部分醫(yī)學生。未來納米技術應用于醫(yī)學領域是大勢所趨。利用納米技術制成的微型藥物輸送器，可將適當劑量的藥物，通過體外電磁信號的引導準確送達病灶部位，有效地起到治療作用，同時可以減輕藥物的不良的反應。用納米制造成的微型機器人，它的體積可是小于紅細胞的，你能想象到嗎？通過它向病人血管中注射，能疏通腦血管的血栓，清除心臟動脈的脂肪和沉淀物，還可“嚼碎”泌尿系統(tǒng)的結(jié)石等。而隨著納米技術的發(fā)展，它與醫(yī)學還會有更多的交叉。

院校介紹

對納米科學與技術這種新興學科來說，每個學校都有自己的特色和側(cè)重，所以這里重點介紹一下。而通過這些不同院校的專業(yè)方向設置，我們也可以多角度地了解這一專業(yè)。

國家納米科學中心

國家納米科學中心是中國科學院與教育部共同建設并具有獨立事業(yè)法人資格的全額撥款直屬事業(yè)單位，自2005年開始招收研究生?，F(xiàn)有博士學科專業(yè)點3個：凝聚態(tài)物理、物理化學和材料學；碩士學科專業(yè)點3個：生物物理、生物工程和材料工程。鑒于納米科學與技術學科的前沿交叉特性，在招生階段，現(xiàn)將該學科掛靠在物理學、化學、材料科學與工程和生物學4個一級學科下，并相應產(chǎn)生4個專業(yè)代碼。涉及納米科技系列進展、納米檢測系列講、文獻信息利用、人文系列講座、納米功能材料等課程。

國家納米科學中心2013年在7個專業(yè)招收碩士研究生35人，專業(yè)包括納米科學與技術、凝聚態(tài)物理、物理化學、材料學、生物物理學、材料工程和生物工程，研究方向涵蓋高分子納米功能材料、生物納米結(jié)構(gòu)、納米醫(yī)學、納米復合材料、納米電子學等幾十個方向，方向非常細化，具有材料、半導體、物理、化學、微電子、生物、醫(yī)藥等專業(yè)背景的學生都可以報考。相信有志于納米專業(yè)的學生，一定會在這里找到適合自己的研究方向。

國家納米中心是比較典型的科研所，其吸引考生的除了實力，很重要的一點就是待遇優(yōu)厚。該中心不需學生繳納學費，如遇國家政策調(diào)整還會有高額的獎學金返還制度，碩士研究生根據(jù)不同年級，每個月可以拿到1300～2500元的獎學金，博士會拿到3100～4500元的獎學金。此外，還會有其他生活補助等。研究生公寓已經(jīng)完全賓館化管理，非常舒適。在國家納米中心深造，沒有經(jīng)濟上的后顧之憂，這樣你才可以將全部精力投入到學習中去。

大連理工大學

大連理工大學的工程力學系開設生物與納米力學專業(yè)，已然在行業(yè)內(nèi)一枝獨秀。該學科依托于工程力學系和工業(yè)裝備結(jié)構(gòu)分析國家重點實驗室，軟硬件條件優(yōu)越，擁有先進的實驗設備和儀器。學生有充足的動手實踐機會，能在宏觀、微觀等不同層次上，進行跨學科的數(shù)值模擬和力學實驗。同時，也有國家自然科學基金、重點基金、“863”“973”等眾多項目和基金支持。

該專業(yè)現(xiàn)在有生物器官生物力學模型及新材料應用研究、分子模擬和計算機輔助藥物分子設計、微納米與多尺度力學研究、生物材料的力學行為及其多功能化4個研究方向，涉及到力學、醫(yī)藥、生物、機械、材料、電子、控制、測量、微納科技等領域。

大連理工大學這個專業(yè)的直博生學制是4年，而一般的直博生需要學習5年時間，而分開讀碩士和博士一般需要6至7年，這吸引了不少學生報考，因為可以節(jié)約1～3年時間。當然，在4年的時間里完成碩士和博士學業(yè)，是一件很具挑戰(zhàn)的事情，需要最大限度地提升效率。

蘇州大學

蘇州大學納米科學技術學院是蘇州大學、蘇州工業(yè)園區(qū)政府、加拿大滑鐵盧大學攜手共建的一所高起點、國際化的新型學院。該學院建立于2010年，由全球著名納米與光電子材料學家、中國科學院院士、第三世界科學院院士李述湯教授擔任院長，教學科研實力雄厚，是國內(nèi)高校中為數(shù)不多的專門的納米科學學院。招生方向涵蓋納米生物化學、納米技術工程、納米材料、有機無機復合納米材料等。有關納米的專業(yè)在物理、化學、生物學、材料科學與工程4個學科下招收學術型研究生，相關專業(yè)學生都可以報考。

需要提醒大家的是，蘇州大學納米科學技術學院初試提供詳細的輔導書和真題，有意報考的同學要多關注學院的網(wǎng)站，以獲得第一手信息。

武漢大學

武漢大學的納米科學與技術專業(yè)在物理科學與技術學院和化學與分子科學學院均有招生，各有側(cè)重。前者分為納米復合材料、納米光催化材料與技術、納米光電子學、納米管線陣列及其智能傳感器、納米材料制備與表征和納米尺度結(jié)構(gòu)與性能關系6個方向。后者在納米催化、納米生物醫(yī)學、納米材料分離分析、微納傳感技術和高分子納米藥物載體。很多方向在國內(nèi)上處于領先地位，每年也有大量學生報考，競爭力較強。

武漢大學與國外多所大學有合作關系，大家如果在武大讀研，出國交流、學習的機會比較多。

華中科技大學

華中科技大學是典型的工科學校，其納米專業(yè)當然也首屈一指。華科的納米專業(yè)同樣是熱門，除去每年招收本校內(nèi)推的學生，考研的競爭非常激烈。

在培養(yǎng)模式方面，華科非常重視學、研、產(chǎn)相結(jié)合，科研成果轉(zhuǎn)化率非常高。在就業(yè)方面，很多碩士研究生在各科研機構(gòu)及高校任職。如果你求學在華科，就不用愁生活保障的問題，學校的獎勵機制非常完善。學院對每位研究生在校期間將發(fā)放生活津貼，并設立各類獎學金以獎勵優(yōu)秀的研究生，其獎勵比例達80%。

第7篇：微納米制造技術及應用范文

要說今年最重大的處理器，當數(shù)IBM Power7系列小型機處理器了。Power7的計算性能和能效都上了一個新臺階，在并行處理和串行處理中的性能，遠遠領先于x86處理器。然而，小型機的應用領域相對狹窄，使得Power7的并未在更廣泛的用戶中掀起較大的波瀾。

當然，在金融等特定領域，Power7的重要性不言而喻。與之相比，英特爾緊隨Power7之后的安騰9300系列處理器掀起的水花就更小了。這款產(chǎn)品在兩年前就已經(jīng)公布，卻遲遲沒有正式。跳票時間太長，讓等待它的人們已經(jīng)疲倦。兩年前的設計也使它在和Power7的競爭中有些力量不足。但安騰的存在足以提醒IBM：不能為之前的成績自滿，追趕者依然緊隨其后。從這個角度看，安騰9300雖然反響不大，但意義依然重大。

主流服務器處理器方面，英特爾和AMD體現(xiàn)出了節(jié)奏的差異。2010年是英特爾“Tick-Tock”節(jié)拍中制程更新的一年。當更新為32nm工藝，增加了兩個內(nèi)核的至強5600出現(xiàn)時，除了簡單的性能比較之外，人們并未對其發(fā)表更多評論。畢竟，至強5500推出后，人們已經(jīng)了解到了下一代處理器的大概模式。這也說明，從吸引眼球的角度講，節(jié)奏太規(guī)律并非好事。

與英特爾相比，AMD今年的服務器處理器卻吸引了大量眼球。AMD皓龍6100系列處理器是業(yè)內(nèi)第一個達到了12個物理內(nèi)核的CPU處理器。此外，皓龍6100采用的第二代直連架構(gòu)不但支持四通道DDR3內(nèi)存，而且將其HT超傳輸總線的速率提升到了6.4 GT/s，并且能夠在4路服務器中提高處理器互訪的效率。

不得不提的是，雖然皓龍6100較上代產(chǎn)品有很多新的改進，策略較為積極，但AMD的重拳同樣積蓄在2011年將推出的“推土機”架構(gòu)處理器中，以期與英特爾的新架構(gòu)相抗衡。兩強相爭，2011年必然是精彩的一年。

2011年將要浮出水面的另一股暗流，將來自移動處理器領域。雖然2010年移動處理器市場波瀾不驚，但平板電腦的快速發(fā)展已經(jīng)引來了ARM這一新生力量加入移動終端處理器的對決。英特爾則針鋒相對地了面向嵌入式領域的凌動E600系列處理器，爭搶ARM的份額。與之相比，AMD則希望用低功耗高性能的APU來守住現(xiàn)有的移動終端市場。硝煙剛剛升起，未來還有一場大戲可看。

處理器

英特爾至強5600

編輯點評：作為現(xiàn)階段雙路x86架構(gòu)服務器處理器市場上公認的性能和能效最佳表現(xiàn)者，英特爾至強5600系列處理器是英特爾在服務器市場的一款極其成功的拳頭產(chǎn)品，是主流企業(yè)用戶的理想之選。

英特爾至強5600系列處理器全面改善了各方面性能指標，它率先采用了全球通用處理器制造最為先進的制造工藝――32納米制程工藝，顯著提升運算速度和降低能耗，并集成多達6個內(nèi)核，增大緩存容量。相比基于45納米制造工藝的前一代產(chǎn)品，至強5600在性能上最高提升達60%，一舉打破了12項與雙路服務器和工作站相關的性能世界紀錄，而其能耗和價格則與上一代產(chǎn)品基本持平。

至強5600處理器傳承了自適應用戶應用環(huán)境的智能計算理念，集成的多種智能計算特性與功能，如睿頻加速技術、超線程技術、智能節(jié)能技術等，這些特性可以讓其數(shù)據(jù)中心中每個計算節(jié)點都能即時感知應用負載的變化，實現(xiàn)整體性能、并行處理能力和能效的實時自適應調(diào)節(jié)，從而更靈活地滿足不同應用的需求。而與至強5600平臺搭配的SSD、InfiniBand、萬兆以太網(wǎng)以及英特爾軟件開發(fā)和優(yōu)化工具等周邊產(chǎn)品與技術，也可幫助用戶實現(xiàn)系統(tǒng)性能的進一步調(diào)優(yōu)。

尤其值得關注的是，至強5600系列對超期服役的單核和雙核服務器形成了明顯的替代效應：實現(xiàn)同樣性能，至強5600對單核產(chǎn)品的整合比達到了15：1，能耗節(jié)省95%，約5個月可收回投資成本；與雙核產(chǎn)品相比，整合比達到5：1，能耗節(jié)省85%，約15個月可收回投資成本。

處理器

英特爾酷睿i5 （Sandy Bridge）

編輯點評：基于全新的英特爾Sandy Bridge微架構(gòu)，酷睿i5處理器在業(yè)界率先實現(xiàn)了處理器核心與核芯顯卡的無縫融合?；谟⑻貭柡诵撅@卡、高速視頻同步技術、英特爾Intru3D視覺技術、睿頻加速2.0技術、無線顯示技術、高級矢量擴展指令集等一系列增強的特性，用戶的計算性能及視覺體驗大幅提升。

酷睿i5無縫融合的核芯顯卡，具有更高更智能的性能和更精良的能耗管理，以及和CPU其它計算單元之間更協(xié)調(diào)的計算能力；酷睿i5支持高達1.6GHz的智能顯存，并通過緩存共享機制大大提升了3D性能，可輕松駕馭《星際爭霸Ⅱ》等主流3D游戲；超低功耗特性更為筆記本電腦帶來更持久的電能，為用戶帶來更清涼舒適的使用體驗；高速視頻同步技術通過物理加速可將高碼率1080p視頻文件在電腦與各種便攜式設備間以不同格式流暢地轉(zhuǎn)換、傳遞，使用戶可以輕松地感受到即時分享的樂趣；無線顯示技術（WiDi）可以實現(xiàn)筆記本電腦與高清電視的無線連接和切換，用戶可以隨時將屏幕切換到電視，享受大屏幕播放帶來的快樂；借助英特爾Intru3D視覺技術，用戶再也不用在電影院排隊等候，在家即可隨時享受生動逼真的3D視覺盛宴；借助新引入的AVX指令集，酷睿i5處理器將有望為用戶提供更為復雜的浮點密集型應用，例如視頻分析與追蹤、3D建模、CAD等，屆時，筆記本電腦的性能將得到大幅提升。

酷睿i5定位于主流用戶，能輕松應對日常工作和娛樂應用、主流3D游戲、數(shù)字內(nèi)容創(chuàng)建及編輯等。

處理器

AMD皓龍6100系列處理器

編輯點評：2010年3月，AMD了全新的AMD皓龍6000系列12核和8核x86處理器，其性能高達AMD上一代6核處理器的兩倍，其中整體性能提高了88%，浮點性能提高達119%。它面向主流的2路和高附加值4路服務器市場，可滿足當今服務器客戶的明確需求――工作負載特定的性能、電源效率和整體價值，同時又能使客戶花更少的錢獲得更多的核心和內(nèi)存。

AMD皓龍6100系列處理器引入了直連架構(gòu)2.0：對四通道內(nèi)存的支持帶來了上一代AMD 皓龍?zhí)幚砥鲀杀兜膬?nèi)存容量和內(nèi)存帶寬，并能支持頻率高達1333MHz的R/U-DDR3內(nèi)存，與早期的內(nèi)存技術相比，整體系統(tǒng)性能得到改進；超傳輸總線輔助技術可通過降低探測流量和解決探針問題來幫助提高超傳輸總線技術的效率；超傳輸總線3.0技術帶來了第4個HT鏈路并且速度提高至6.4GT/s，可在CPU和I/O之間提供極大的系統(tǒng)帶寬，從而幫助提高系統(tǒng)平衡性和可擴展性；最多可配置12個核心，與上一代產(chǎn)品相比改進了多線程環(huán)境的性能和每瓦性能，例如虛擬化、數(shù)據(jù)庫和Web服務等。

另外，AMD新處理器還具備全新的AMD-P 2.0節(jié)能特性：APML（高級平臺管理鏈接）可為處理器和系統(tǒng)管理提供一個接口，對平臺功耗等系統(tǒng)資源進行監(jiān)控；AMD CoolSpeed技術能夠在處理器的熱環(huán)境超過了安全運行范圍時降低P-state，使服務器正常運行；C1E 功能提供了一種睡眠狀態(tài)，大幅節(jié)約數(shù)據(jù)中心的能耗。

除此之外，該系列處理器還針對虛擬化應用提供了AMD 虛擬化(AMD-V) 技術2.0，支持I/O 級虛擬化、快速虛擬化索引等特性，能夠為用戶帶來更多的價值。

計算平臺

AMD皓龍6000系列平臺

編輯點評：2010年3月，AMD了全新的AMD皓龍6000系列平臺，可滿足當今服務器客戶的明確需求――工作負載特定的性能、電源效率和整體價值，同時又能使客戶花更少的錢獲得更多的核心和內(nèi)存。隨著現(xiàn)實世界的工作負載變得越來越復雜并且要求更加苛刻，AMD 皓龍6000 系列平臺成為客戶可以信賴的服務器平臺。

第8篇：微納米制造技術及應用范文

在云計算、大數(shù)據(jù)等趨勢的影響下，大型數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境對于服務器市場的格局正在產(chǎn)生深遠的影響。

具有低功耗、高密度、面向密集型計算需求等特點的低功耗服務器日益成為服務器市場中的一個重要細分領域。根據(jù)IDC的報告，到2015年云數(shù)據(jù)中心預計將成為服務器市場中增長速度最快的細分市場。英特爾也預計，未來4到5年，基于低功耗處理器的微服務器將占整個服務器市場份額的8%～10%。從芯片制造商到服務器生產(chǎn)商，產(chǎn)業(yè)鏈中的許多企業(yè)已經(jīng)意識到了低功耗服務器的重要性和發(fā)展?jié)摿Α?/p>

基礎架構(gòu)需求變遷

從規(guī)模和范圍上看，數(shù)據(jù)中心在過去十年中經(jīng)歷了巨大的變化，包括計算需求、計算能力、運行的經(jīng)濟性等變化。大規(guī)模的橫向擴展取代了縱向擴展，通過分布式算法組成一個大而強的系統(tǒng)正在成為IT基礎設施架構(gòu)的重要方向。隨著越來越多的企業(yè)選擇按需獲取計算資源，將業(yè)務應用運行在云環(huán)境中，如何兼顧彈性化的計算需求與能源效率正越來越成為數(shù)據(jù)中心運營商、云服務商等關注的議題。

數(shù)據(jù)中心領域的創(chuàng)新是驅(qū)動服務器架構(gòu)轉(zhuǎn)向低功耗、高可擴展性方向的重要動因。Amazon負責數(shù)據(jù)中心的副總裁James Hamilton曾經(jīng)表示，在最近5年內(nèi)數(shù)據(jù)中心領域的技術創(chuàng)新超過了過去15年創(chuàng)新的總和，這主要得益于云計算和超大規(guī)?；ヂ?lián)網(wǎng)應用的驅(qū)動。

微型服務器是面向數(shù)據(jù)中心細分市場的，專為支持一類獨特的數(shù)據(jù)中心工作負載而構(gòu)建。對于此類工作負載而言，多臺低功耗高密度服務器可能比幾臺高性能服務器效率更高。自 2009 年底開始，一些大型互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心和服務提供商就已經(jīng)開始并持續(xù)采用微型服務器。對于這些企業(yè)而言，在低端專用輕型托管 Web 服務器和簡單內(nèi)容交付服務器上實現(xiàn)的計算密度和電力成本節(jié)省意義重大。

細分應用是催化劑

如果說技術的演進是企業(yè)級基礎架構(gòu)走向低功耗的重要推動力，應用訴求則是低功耗服務器最直接和重要的催化劑。當前的應用環(huán)境和需求正越來越呈現(xiàn)細分化和多樣化的趨勢。英特爾（中國）有限公司服務器平臺事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理趙萌認為：“在各個涉及到互聯(lián)網(wǎng)應用的行業(yè)中，Web托管和Web服務器都是非常大的需求。在這種應用環(huán)境中，采用一些滿足標準應用的主流服務器可能造成資源的浪費。針對一些輕量化的應用，基于低功耗芯片的服務器能夠幫助客戶實現(xiàn)更低的TCO。”

目前，國內(nèi)知名的電子商務平臺淘寶的CDN（內(nèi)容分發(fā)網(wǎng)絡）系統(tǒng)使用的正是基于英特爾凌動（Atom）處理器定制的低功耗服務器。據(jù)悉，淘寶一共部署了十多個低功耗CDN節(jié)點機群，共部署了約800臺凌動低功耗服務器。趙萌表示：“互聯(lián)網(wǎng)應用多是數(shù)據(jù)密集型，I/O吞吐量大，這種情況下采用低功耗的CPU是比較好的選擇。針對CDN系統(tǒng)輕量級應用和多節(jié)點的特點，通過前期溝通和測試比較，淘寶最終確定了采用基于Atom的定制服務器方案，滿足不同地區(qū)用戶本地化快速響應的需求?！?/p>

“互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)大多采用定制化服務器，功耗要求是一個重要的考慮因素?！?賽迪顧問高級分析師劉新認為，“服務器能耗在整個數(shù)據(jù)中心能耗中所占的比例比較大，對于大規(guī)模集群的應用環(huán)境，低功耗的課題尤其突出?！?/p>

訴求不只是低功耗

“低功耗服務器市場將是未來服務器市場中增長最快的細分領域，未來的企業(yè)級服務器將朝著低功耗的方向發(fā)展。”AMD中國區(qū)服務器產(chǎn)品經(jīng)理梁宏偉表示，“當前客戶的需求已經(jīng)發(fā)生轉(zhuǎn)變，大家過去關注的多是概念和單純的性能指標，現(xiàn)在更加關注的是自身的業(yè)務需求和總體擁有成本?！?在處理器整體走向高性能和低功耗的趨勢下，單純考量芯片的功耗和性能指標已經(jīng)無法獲得全面的視角。

“關于低功耗指標的定義，并沒有一刀切的標準，用戶群更專注的是性能功耗比。對于不同的應用需求，如何實現(xiàn)最佳的能效比是芯片廠商關注的重點。因此針對市場上的新型選擇和需求，我們采用的是多條產(chǎn)品線并舉的策略。” 趙萌表示，“例如英特爾E3平臺能夠滿足大多數(shù)主流應用的性能需求，同時實現(xiàn)更低的功耗，而Atom平臺關注的更多的則是低功耗的訴求。通過不同的產(chǎn)品組合，能為客戶提供全面的解決方案?！?/p>

今年英特爾將再次擴大 E3 產(chǎn)品家族的陣容，推出基于 22 納米制程3-D 三柵極晶體管的全新處理器，它將實現(xiàn)較前一代處理器更高的性能和性能功耗比。年底，英特爾還將推出一款基于Atom微架構(gòu)的全新服務器處理器（代號為“Centerton”）。英特爾還于 2011 年 3 月為其路線圖新增了一個低功耗微架構(gòu)產(chǎn)品組合，以更好地支持微型服務器服務廣泛的工作負載。

如今，這一產(chǎn)品組合包括三類處理器，功耗從 45 瓦到 15 瓦不等，全部具備服務器級產(chǎn)品特性，其中包括 64 位兼容性、虛擬化技術 以及錯誤檢查和糾正 （ECC） 等。

此外，x86陣營的另一大芯片企業(yè)AMD也同樣關注低功耗服務器的發(fā)展。在AMD的產(chǎn)品組合中，皓龍6000、4000及3000系列處理器也同時平衡了性能與功耗?！耙郧暗氖袌鍪强款l率速度和單線程性能來推動，現(xiàn)在的市場則越來越關注處理的效率和更低的功耗?！睋?jù)梁宏偉介紹，今年11月，AMD將AMD皓龍6000系列處理器新品“阿布扎比”以及另外兩款基于同樣技術的新品：AMD皓龍4000系列處理器“首爾”和皓龍3000系列處理器“德里”，在提升性能的同時繼續(xù)保持低功耗的優(yōu)勢。

第9篇：微納米制造技術及應用范文

大唐金融社?？ㄐ酒?/p>

獲優(yōu)秀銀行卡設備獎

在前不久召開的“2011中國國際金融（銀行）技術暨設備展覽會（以下簡稱金融展）”上，大唐電信向業(yè)界集中展示了金融IC卡芯片解決方案、現(xiàn)場及遠程支付解決方案、社?？ㄐ酒ê鹑诠δ埽┙鉀Q方案、手機支付解決方案等整體解決方案。在此次金融展上，大唐電信推出的金融社?？ㄐ酒瑯s獲2011年金融展“優(yōu)秀銀行卡設備獎”。

金融社?？ㄐ酒谴筇齐娦抛灾餮邪l(fā)設計的一款國產(chǎn)芯片，符合《社會保障（個人）卡規(guī)范》、《中國金融集成電路（IC）卡應用規(guī)范》（PBOC2.0規(guī)范）。該產(chǎn)品能夠很好地實現(xiàn)電子憑證、信息存儲、信息查詢、電子錢包、借貸記、電子現(xiàn)金小額支付等功能。芯片設計兼顧速度、安全、面積、功耗等因素，是一款高速率、高安全性、低功耗的智能卡芯片。目前，大唐電信金融社?？ㄐ酒a(chǎn)品已經(jīng)在福建、北京等地商用。

據(jù)了解，大唐電信“十二五”期間確立了向整體解決方案轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，全面實施“大終端+大服務”的產(chǎn)業(yè)布局。以大唐微電子的產(chǎn)業(yè)平臺及原專用集成電路事業(yè)部、國際業(yè)務部為基礎組建了大唐電信金融與安全事業(yè)部，事業(yè)部將以安全芯片為核心，立足通信政企等行業(yè)領域，面向金融社保等行業(yè)領域，提供智能卡綜合性解決方案。（來自大唐電信）

華虹NEC的Super Junction

工藝開發(fā)項目取得顯著成果

上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）近日宣布，憑借在MOSFET方面雄厚的技術實力和生產(chǎn)工藝，成功開發(fā)了新一代創(chuàng)新型MOSFET代工方案――600-700VSuperJunction（超級結(jié)結(jié)構(gòu)）MOSFET（SJNFET）工藝，并開始進入量產(chǎn)階段。此SJNFET工藝平臺的成功推出，標志著華虹NEC在功率分立器件領域取得了突破性進展，將為客戶提供更豐富的工藝平臺與代工服務。（來自華虹NEC）

燦芯半導體與浙江大學建立

“工程碩士”培養(yǎng)合作

為培養(yǎng)應用型、復合型的高層次集成電路企業(yè)工程技術人才，推動集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）與浙江大學簽署了委托浙江大學信息與電子工程學系為燦芯半導體開展集成電路工程碩士培養(yǎng)的協(xié)議，并于10月15日在浙江大學舉行了開學典禮。

探索集成電路人才培育模式，完善集成電路企業(yè)的人力資源積累和激勵機制,既孵化企業(yè)，也孵化人才，使優(yōu)秀人才引得進、留得住、用得好，是燦芯半導體企業(yè)文化的主要內(nèi)容之一，而建設呈梯次展開的人才培育平臺是燦芯半導體企業(yè)文化的重要組成部分。為地方企業(yè)培養(yǎng)集成電路人才、提高在職集成電路人員的技術水平和技術素養(yǎng)也是浙江大學人才培養(yǎng)的重要任務。

該合作的建立，不僅為燦芯半導體的在職工程師提供了一個極好的深造機會，同時也體現(xiàn)了燦芯半導體對人才的重視和在公司人才培養(yǎng)上的深謀遠慮?。▉碜誀N芯半導體）

宏力半導體與力旺電子合作開發(fā)

多元解決方案與先進工藝

晶圓制造服務公司宏力半導體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器（embedded non-volatile memory, eNVM）領導廠商力旺電子共同宣布，雙方通過共享資源設計平臺，進一步擴大合作范圍，開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨特開發(fā)的單次可編程OTP （NeoBit），與多次可編程MTP （NeoFlash/NeoEE） 等eNVM技術，將全面導入宏力半導體的工藝平臺，宏力半導體并將投入OTP與MTP知識產(chǎn)權（Intellectual Patent, IP）的設計服務，以提供客戶全方位的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，將可藉由低成本、高效能的優(yōu)勢，服務微控制器（MCU）與消費性電子客戶，共同開發(fā)全球市場。 （來自力旺公司）

“大唐-安捷倫TD-LTE-Advanced

聯(lián)合研究實驗室”成立

大唐電信集團與安捷倫科技有限公司日前聯(lián)合宣布：雙方在北京成立“大唐-安捷倫TD-LTE- Advanced聯(lián)合研究實驗室”，攜手為中國新一代移動通信技術的自主創(chuàng)新發(fā)展貢獻力量。TD-LTE-Advanced是現(xiàn)今TD-LTE （4G） 標準的后續(xù)演進系統(tǒng)。此次成立的聯(lián)合研究實驗室將致力于開發(fā)相關的新技術和測試標準，推動TD-LTE-Advanced在中國以及國際市場的快速發(fā)展和商業(yè)部署。

作為3G時代TD-SCDMA國際標準的提出者，以及4G時代TD-LTE- Advanced技術的主導者，大唐電信集團彰顯出其在國際標準化工作中的領軍者地位?！按筇?安捷倫TD-LTE-Advanced聯(lián)合研究實驗室”的建立，將有利于雙方在TD-SCDMA、TD-LTE、TD-LTE-Advanced解決方案的研發(fā)過程中發(fā)揮各自優(yōu)勢，支持大唐電信集團在技術、系統(tǒng)設備和芯片組等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)的研發(fā)，同時為安捷倫針對中國自主通信標準開發(fā)測試技術和儀器儀表提供發(fā)展機會。（來自安捷倫科技）

睿勵TFX3000 300mm

全自動精密薄膜線寬測量系統(tǒng)

睿勵科學儀器（上海）有限公司宣布推出自主研發(fā)的適用于65nm和45 nm技術節(jié)點的300mm硅片全自動精密薄膜和線寬測量系統(tǒng)（TFX3000）。針對65nm及45nm生產(chǎn)線的要求，本產(chǎn)品的測量系統(tǒng)采用了先進的非接觸式光學技術，并進行了全面的優(yōu)化，能準確地確定集成電路生產(chǎn)中有關工藝參數(shù)的微小變化。配上亞微米級高速定位系統(tǒng)和先進的計算機圖形識別技術，極大地提高了測量的速度。該產(chǎn)品可以和睿勵自主開發(fā)的OCD軟件配套使用，能準確地測量關鍵尺寸及形貌。專為CD測量配套的光學測量系統(tǒng)能將光學散射法的優(yōu)勢最充分地發(fā)揮出來。該產(chǎn)品最適用于刻蝕（Etch）、化學氣相沉積（CVD）、光刻（Photolithography）和化學機械拋光（CMP）等工藝段。（來自睿勵科學儀器）

聯(lián)想IdeaPad TabletK1觸摸屏采用

愛特梅爾maXTouch mXT1386控制器

愛特梅爾公司（Atmel? Corporation）宣布聯(lián)想已選擇maXTouch?mXT1386控制器助力聯(lián)想IdeaPad TabletK1平板電腦。新型聯(lián)想IdeaPad TabletK1平板電腦運行Android 3.1版本操作系統(tǒng)，搭載雙核1GHz NVIDIA Tegra 2處理器和1GB內(nèi)存，并配置帶有黑色邊框的10.1英寸1280x800分辨率顯示屏。愛特梅爾maXTouch mXT1386這款突破性全新觸摸屏控制器具有出色的電池壽命和更快的響應速度，因而獲聯(lián)想選擇使用。（來自愛特梅爾）

埃派克森推出滑鼠8-PIN芯片

埃派克森微電子（上海）有限公司（Apexone Microelectronics）日前宣布推出業(yè)界唯一的8-PIN最小封裝、支持DPI調(diào)節(jié)的3D4K單芯片光電鼠標芯片A2638，以及“翼”系列2.4 G 無線鼠標方案的第二代產(chǎn)品ASM667高性能模組。

此次新推出的A2638光電鼠標系統(tǒng)級芯片（SoC）是埃派克森全新“致?簡”系列的首款產(chǎn)品，該系列SoC依據(jù)“突破極致、大道至簡”設計原則和應用思路，從業(yè)內(nèi)最先進的8管腳鼠標SoC外形封裝出發(fā)，利用埃派克森完全自主的專利技術，將更多的系統(tǒng)特性和外部元器件集成其中，突破了多項技術極限從而帶來整體設計的高度簡化和高性價比。作為“致?簡”系列的首款產(chǎn)品，A2638不僅將8管腳光電鼠標傳感器的整體封裝體積壓縮至業(yè)內(nèi)最小，而且是業(yè)內(nèi)唯一支持4Key按鍵DPI可調(diào)的光電鼠標單芯片。

A2638可應用于各種光電鼠標、臺式電腦、筆記本電腦和導航設備等等終端系統(tǒng)。（來自埃派克森）

靈芯集成WiFi芯片

獲得WiFi聯(lián)盟產(chǎn)品認證

蘇州中科半導體集成技術研發(fā)中心有限公司（又名靈芯集成，以下簡稱靈心集成）宣布其研發(fā)的Wi-Fi芯片（包括射頻芯片S103和基帶芯片S901）以及模組SWM9001已獲得Wi-Fi聯(lián)盟的產(chǎn)品認證，成為中國第一家獲得Wi-FiLogo的IC設計公司。這標志著中國本土IC設計公司在Wi-Fi芯片技術領域的一次重大突破，并使Wi-Fi芯片采購商找到更高性價比產(chǎn)品解決方案成為可能。

Wi-Fi技術在移動寬帶領域應用十分廣泛，市場需求量巨大，除智能手機、平板電腦等成熟市場外，還有智能家庭、云手機、云電視以及物聯(lián)網(wǎng)等新興市場。Wi-Fi芯片主要需要實現(xiàn)高線性度、高靈敏度、低功耗以及高抗噪與防反串四大特性，軟件開發(fā)工作同樣復雜，所以研發(fā)難度大。

靈芯集成的Wi-Fi芯片產(chǎn)品及模組擁有完全自主知識產(chǎn)權，并符合802.11abgn等主流標準，同時以硬件實現(xiàn)方式支持中國WAPI加密標準。經(jīng)過數(shù)年的技術攻關，靈芯集成將Wi-Fi芯片成功推向市場并實現(xiàn)量產(chǎn)，同時取得相關國際認證，走過的路異常艱辛。目前，靈芯可提供套片、模組及IP授權等多種合作模式。此外，靈芯集成還可提供GPS基帶和射頻芯片、CMMBDVB-SIIABS調(diào)諧器射頻芯片、2.4GHz射頻收發(fā)芯片以及ETC解決方案等。（來自CSIA）

士蘭微收到1199萬國家專項經(jīng)費

杭州士蘭微電子股份有限公司（簡稱士蘭微）于近日收到“高速低功耗600v以上多芯片高壓模塊”項目的第一筆項目經(jīng)費1199萬元。

據(jù)悉，士蘭微申報的“高速低功耗600v以上多芯片高壓模塊”項目，是國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”專項項目之一，由士蘭微及其控股子公司杭州士蘭集成電路有限公司共同承擔。該項目獲得的中央財政核定預算資金總額為3421.00萬元。（來自CSIA）

國際要聞

IR 擴充SupIRBuck在線設計工具

國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 日前宣布已為 SupIRBuck 集成式負載點 （POL） 穩(wěn)壓器系列擴充在線設計工具，其中包括使用可提升輕載效率的滯后恒定導通時間 （COT） 控制的全新器件。

IR已在網(wǎng)站上提供這款方便易用的互動網(wǎng)絡工具，使設計人員可為超過15個SupIRBuck 集成式穩(wěn)壓器進行快速選型、電熱模擬和優(yōu)化設計。擴充的產(chǎn)品線包含高壓 （27 V） 器件、最高15A 的額定電流，以及采用5mm×6mm 和4mm×5mm 封裝的穩(wěn)壓器。強化的模擬功能包括使用鋁制電解電容器補償恒定導通時間控制器以實現(xiàn)較低成本應用，以及使用全陶制電容器實現(xiàn)較高頻率應用。

SupIRBuck 在線工具根據(jù)設計人員所提供的輸入和輸出參數(shù)，為特定應用選擇合適的器件。用戶只要輸入基本要求，該工具便允許用戶獲取電路圖、建立附帶相關物料清單 （BOM） 的參考設計、觀察波形，并方便快速地完成復雜的熱阻和應用分析，從而大幅加快開發(fā)進程。

IR 的 SupIRBuck 穩(wěn)壓器把 IR的高性能同步降壓控制 IC 和基準 HEXFET?溝道技術 MOSFET 集成到一個緊湊的功率 QFN 封裝中，比分立式解決方案所要求的硅占位面積更小，并提供比單片式IC高出8%至10%的全負載效率。（來自IR）

意法半導體率先采用硅通孔技術，

實現(xiàn)尺寸更小且更智能的MEMS芯片

意法半導體公司（STMicroelectronics，簡稱ST）日前宣布率先將硅通孔技術（TSV）引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導體的多種MEMS產(chǎn)品（如智能傳感器、多軸慣性模塊）內(nèi)，硅通孔技術以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法，在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的集成度和性能。

硅通孔技術利用短垂直結(jié)構(gòu)連接同一個封裝內(nèi)堆疊放置的多顆芯片，相較于傳統(tǒng)的打線綁定或倒裝芯片堆疊技術，硅通孔技術具有更高的空間使用效率和互連線密度。意法半導體已取得硅通孔技術專利權，并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品，此項技術有助于縮減MEMS芯片尺寸，同時可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。（來自ST）

富士通半導體擴充FM3系列

32位微控制器產(chǎn)品陣營

富士通半導體（上海）有限公司最近宣布推出基于ARM? CortexTM-M3處理器內(nèi)核的32位RISC微控制器的FM3系列的新產(chǎn)品。該系列于去年11月首次面世，本次推出的是第3波產(chǎn)品。此次，富士通半導體共推出64款新產(chǎn)品，不久即可提供樣片。

新產(chǎn)品分為高性能產(chǎn)品組和超低漏電產(chǎn)品組兩個類別，高性能產(chǎn)品組共有54款產(chǎn)品，包括MB9B610/510/410/310/210/110系列、MB9BF618- TPMC以及其他產(chǎn)品；超低漏電產(chǎn)品組共有10款產(chǎn)品，包括MB9A130系列、MB9AF132LPMC以及其他產(chǎn)品。（來自富士通半導體）

安森美半導體推出

最小有源時鐘產(chǎn)生器IC

安森美半導體（ON Semiconductor）推出新系列的有源時鐘產(chǎn)生器集成電路（IC），管理時鐘源的電磁干擾（EMI）及射頻干擾（RFI），為所有依賴于時鐘的信號提供降低全系統(tǒng)級的EMI。

新的P3MS650100H及P3MS650103H 低壓互補金屬氧化物半導體（LVCMOS）降低峰值EMI時鐘產(chǎn)生器非常適合用于空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰(zhàn)，而符合相關規(guī)范是先決條件。這些通用新器件采用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些擴頻型時鐘產(chǎn)生器提供業(yè)界最小的獨立式有源方案，以在時鐘源和源自時鐘源的下行時鐘及數(shù)據(jù)信號處降低EMI/RFI。（來自安森美半導體）

恩智浦推出業(yè)界首款集成了LCD段

碼驅(qū)動器的Cortex-M0微控制器

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）日前推出LPC11D00 和LPC12D00系列微控制器，這是業(yè)界首款集成了LCD段碼驅(qū)動器的ARM? CortexTM-M0 微控制器，可在單一芯片中實現(xiàn)高對比度和亮度。LPC11D00和LPC12D00內(nèi)置了恩智浦PCF8576D LCD驅(qū)動器，適用于內(nèi)含多達4個底板和40段碼的靜態(tài)或多路復用液晶顯示器，并能與多段LCD驅(qū)動器輕松實現(xiàn)級聯(lián)，容納最多2560段碼，適合更大的顯示器應用。恩智浦LPC11D00和LPC12D00系列可將總體系統(tǒng)成本降低15%，同時提供LCD無縫集成，適合工業(yè)自動化、白色家電、照明設備、家用電器和便攜式醫(yī)療器械等多種應用。（來自恩智浦）

奧地利微電子推出

業(yè)界最高亮度的閃光LED驅(qū)動芯片

奧地利微電子公司日前宣布推出應用于手機、照相機和其他手持設備的AS364X系列LED閃光驅(qū)動芯片。產(chǎn)品具有高集成度及4MHz的DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器，能保證最高的精度，從而確保最佳的照片和視頻圖像質(zhì)量。新的產(chǎn)品系列支持320mA至最高2A的輸出電流，為入門級手機、高端智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機和錄像機提供最佳解決方案。

除了具有業(yè)界最小尺寸的特性，新的產(chǎn)品系列提供高度精確的I2C可編程輸出電流和時間控制，擁有諸多安全特性，另外還結(jié)合智能內(nèi)置功能與獨有的處理技術，使閃光燈即使在非常低的電量下依然保持工作，改善移動環(huán)境中圖像的畫面質(zhì)量。（來自奧地利微電子）

微捷碼FineSim SPICE幫助

Diodes Incorporated加速完成兩款

高度集成化同步開關穩(wěn)壓器的投片

微捷碼（Magma?）設計自動化有限公司日前宣布，全球領先的分立、邏輯和模擬半導體市場高品質(zhì)專用標準產(chǎn)品（ASSP）制造商和供應商Diodes Incorporated公司采用FineSimTM SPICE多CPU電路仿真技術完成了兩款高度集成化同步開關穩(wěn)壓器的投片。AP6502和AP6503作為340 kHz開關頻率外補償式同步DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，是專為數(shù)字電視、液晶監(jiān)控器和機頂盒等有超高效電壓變換需求的消費類電子系統(tǒng)而設計。通過利用FineSim SPICE多CPU仿真技術，Diodes Incorporated明顯縮短了仿真時間，在不影響精度的前提下實現(xiàn)了3至4倍的仿真范圍擴展。（來自Magma）

德州儀器進一步壯大面向負載點

設計的 PMBusTM 電源解決方案陣營

日前，德州儀器 （TI） 宣布面向非隔離式負載點設計推出 2兩款具有 PMBus 數(shù)字接口與自適應電壓縮放功能的 20 V 降壓穩(wěn)壓器。加上 NS系統(tǒng)電源保護及管理產(chǎn)品，TI 為設計工程師提供完整的單、雙及多軌多相位 PMBus 解決方案，幫助電信與服務器設計人員對其電源系統(tǒng)健康狀況進行智能監(jiān)控、保護和管理。（來自德州儀器）

Altera業(yè)界第一款

SoC FPGA軟件開發(fā)虛擬目標平臺

Altera公司宣布可以提供FPGA業(yè)界的第一個虛擬目標平臺，支持面向Altera最新的SoC FPGA器件進行器件專用嵌入式軟件的開發(fā)。在Synopsys有限公司成熟的虛擬原型開發(fā)解決方案基礎上，SoC FPGA虛擬目標是基于PC在Altera SoC FPGA開發(fā)電路板上的功能仿真。虛擬目標與SoC FPGA電路板二進制和寄存器兼容，保證了開發(fā)人員以最小的工作量將在虛擬目標上開發(fā)的軟件移植到實際電路板上。支持Linux和VxWorks，并在主要ARM輔助系統(tǒng)開發(fā)工具的幫助下，嵌入式軟件工程師利用虛擬目標，使用熟悉的工具來開發(fā)應用軟件，最大限度的重新使用已有代碼，利用前所未有的目標控制和目標可視化功能，進一步提高效能，這對于復雜多核處理器系統(tǒng)開發(fā)非常重要。（來自Altera）

瑞薩電子宣布開發(fā)新型近場無線技術

瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）于近日宣布開發(fā)新型超低功耗近場距離（低于1米的范圍內(nèi)）無線技術，通過此技術實現(xiàn)極小終端設備（傳感器節(jié)點）即可將各種傳感器信息發(fā)送給采樣通用無線通信標準（如藍牙和無線LAN）的移動器件。

瑞薩電子認為，這項新技術會成為未來幾年“物聯(lián)網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎，以及實現(xiàn)更高效的、有助于構(gòu)建生態(tài)友好的綠色“智能城市”的“器件控制”的基礎。瑞薩計劃加速推進其研發(fā)工作。

瑞薩電子于近日在日本京都召開的“2011年VLSI電路研討會”上公布開發(fā)成果。（來自CSIA）

德州儀器推出更強大的

多核 DSP-TMS320C66x

日前，德州儀器 （TI）宣布推出面向開發(fā)人員的業(yè)界最高性能的高靈活型可擴展多核解決方案，其建立在TMS320C66x 數(shù)字信號處理器（DSP）產(chǎn)品系列基礎之上，是工業(yè)自動化市場處理密集型應用的理想選擇。設計智能攝像機、視覺控制器以及光學檢測系統(tǒng)等產(chǎn)品的客戶將充分受益于TI C66x 多核DSP 所提供的超高性能、整合型定點與浮點高性能以及單位內(nèi)核更多外設與存儲器數(shù)量。此外，TI 還提供強大的多核軟件、工具與支持，可簡化開發(fā)，幫助客戶進一步發(fā)揮C66x 多核DSP 的全面性能優(yōu)勢。（來自德州儀器）

意法半導體（ST）向歌華有線

提供集成機頂盒芯片

意法半導體日前宣布北京歌華有線電視網(wǎng)絡公司的機頂盒已經(jīng)大規(guī)模采用意法半導體集成高清有線調(diào)制解調(diào)器（Cable Modem）芯片-STi7141，該產(chǎn)品集成三網(wǎng)融合和Cable Modem功能，以及雙調(diào)諧器個人錄像機（PVR）和視頻點播（VoD）性能，從而實現(xiàn)低成本且高性能的交互應用服務。

STi7141支持MPEG4/H.264/VC1最新高清廣播標準，集成DOCSIS/EuroDOCSIS Cable Modem，使用戶可以實現(xiàn)永久在線連接，并支持基于IP 協(xié)議的交互電視服務和網(wǎng)絡電話。STi7141具有以太網(wǎng)接口同時支持DOCSIS3.0的信道綁定功能，可支持寬帶下載、HDMI以及USB。

基于STi7141集成Cable Modem的交互機頂盒通過嚴格測試，其性能、穩(wěn)定性、低功耗和集成三網(wǎng)融合功能較歌華上一代機頂盒都取得了很大的進步，并且能夠滿足歌華有線當前以及可預期的全部要求。（來自意法半導體）

X-FAB認證Cadence物理

驗證系統(tǒng)用于所有工藝節(jié)點

Cadence 設計系統(tǒng)公司近日宣布，晶圓廠X-FAB已認證Cadence物理驗證系統(tǒng)用于其大多數(shù)工藝技術。晶圓廠的認證意味著X-FAB已在其所有工藝節(jié)點中審核認可了Cadence 物理實現(xiàn)系統(tǒng)的硅精確性，混合信號客戶可利用其與Cadence Virtuoso和Encounter流程的緊密結(jié)合獲得新功能與效率優(yōu)勢。

Cadence物理驗證系統(tǒng)提供了在晶體管、單元、模塊和全芯片/SoC層面的設計中與最終簽收設計規(guī)則檢查（DRC）與版圖對原理圖（LVS）驗證。它綜合了業(yè)界標準的端到端數(shù)字與定制/模擬流程，有助于達成更高效的硅實現(xiàn)技術。

通過將設計規(guī)則緊密結(jié)合到Cadence實現(xiàn)技術，設計團隊可以在編輯時根據(jù)簽收DRC驗證進行檢驗，在其流程中更早地發(fā)現(xiàn)并修正錯誤，同時通過獨立簽收解決方案，幫助其在漫長的周期中節(jié)省時間，實現(xiàn)更快流片。Cadence與X-FAB繼續(xù)緊密合作，為其混合信號客戶提供經(jīng)檢驗的簽收驗證方案。（來自Cadence）

泰克公司推出用于MIPI?

Alliance M-PHYSM測試解決方案

泰克公司近日宣布，推出用于新出臺M-PHY v1.0規(guī)范的MIPI Alliance M-PHY測試解決方案。在去年九月推出的業(yè)內(nèi)首個M-PHY測試解決方案的基礎上，泰克公司現(xiàn)在又向移動設備硬件工程師提供了一種用于M-PHY發(fā)射機和接收機調(diào)試、驗證和一致性測試的簡單、集成的解決方案。

與那些需要一系列復雜儀器來涵蓋全面M-PHY測試要求的同類M-PHY測試解決方案相比，泰克解決方案要簡單得多，只需要一臺泰克DPO/DSA/MSO70000系列示波器和一臺AWG7000系列任意波形發(fā)生器。在與Synopsys公司密切合作開發(fā)下，泰克“2-box”解決方案提供了在示波器上集成的誤差檢測（用于接收機容限測試）和可再用性（只需進行一次設置，就能進行M-PHY，或速度較低的D-PHYSM規(guī)范的測試）。（來自泰克公司）

eSilicon 推出28 納米下

1.5GHz處理器集群

eSilicon 公司與 MIPS 科技公司共同宣布，已采用 GLOBALFOUNDRIES 的先進低功率 28 納米 SLP 制程技術進行高性能、三路微處理器集群的流片，預計明年初正式出貨。MIPS 科技提供以其先進 MIPS32? 1074KfTM 同步處理系統(tǒng) （CPS） 為基礎的 RTL，eSilicon 完成綜合與版圖，共同優(yōu)化此集群設計，可達到最差狀況 1GHz 的性能水平，典型性能預計為約1.5GHz。

為確保在低功耗的條件下達到 1GHz 目標，eSilicon 的定制內(nèi)存團隊為 L1 高速緩存設計了自定義的內(nèi)存模塊，用來取代關鍵路徑中的標準內(nèi)存。1074K CPS 結(jié)合了兩項高性能技術─ 同步多處理系統(tǒng)、以及亂序超標量的 MIPS32 74K?處理器作為基本 CPU。74K 采用多發(fā)射、15 級亂序超標量架構(gòu)，現(xiàn)已量產(chǎn)并有多家客戶將其用在數(shù)字電視、機頂盒和各種家庭網(wǎng)絡應用，也被廣泛地用在聯(lián)網(wǎng)數(shù)字家庭產(chǎn)品中。

即日起客戶可從 eSilicon 取得 1GHz 設計的授權 ─ 能以標準或定制化形式供貨。此集群處理器已投片為測試芯片，能以硬宏內(nèi)核形式供應。它包括嵌入式可測試性設計 （DFT） 與可制造性設計 （DFM） 特性，因此能直接放入芯片中，無需修改就能使用。作為完整 SoC 開發(fā)的一部分，它能進一步定制化與優(yōu)化，以滿足應用的特定需求。（來自MIPS公司）

科勝訊推出音頻播放 IC 產(chǎn)品線

科勝訊系統(tǒng)公司推出音頻播放芯片 KX1400，可通過片上數(shù)字音頻處理器和 D 類驅(qū)動器直接在外接揚聲器中播放 8KHz 的音頻數(shù)據(jù)。作為科勝訊音頻播放產(chǎn)品系列的第一款產(chǎn)品，KX1400 已被混合信號集成電路和系統(tǒng)開發(fā)商 Keterex 公司所收購。

科勝訊的音頻播放產(chǎn)品系列非常適用于要求音頻播放預錄數(shù)據(jù)的大多數(shù)應用。無論是售貨機、玩具還是人行橫道信號和互動自動服務查詢機，科勝訊簡單易用的音頻播放器件都是將音頻功能集成到各類器件和家用電器的絕佳途徑，極大地改善了用戶體驗。（來自科勝訊系統(tǒng)公司）

英特爾與IBM等公司合作，向紐約州

投資44億美元用于450mm晶圓

英特爾、IBM、GLOBALFOUNDRIES、臺積電（TSMC）以及三星電子五家公司面向新一代計算機芯片的研發(fā)等，將在未來五年內(nèi)向美國紐約州共同投資44億美元。

這項投資由兩大項目構(gòu)成。第一，由IBM及其合作伙伴領導的計算機芯片用新一代以及下下代半導體技術的開發(fā)項目。第二，英特爾、IBM、GLOBALFOUNDRIES、臺積電以及三星領導的450mm晶圓聯(lián)合項目。五家公司將統(tǒng)一步調(diào)，加速從現(xiàn)有的300mm晶圓向新一代450mm晶圓過渡。與300mm晶圓相比，預計利用450mm晶圓后芯片裁切量將增至兩倍以上，制造成本也會降低。（來自CSIA）

飛兆半導體下一代單芯片功率模塊

系列滿足2013 ErP Lot 6待機

功率法規(guī)要求

根據(jù)2013歐盟委員會能源相關產(chǎn)品（ErP） 環(huán)保設計指令Lot 6的節(jié)能要求，電子設備在待機模式下的最大功耗不得超過0.5W，這項要求對于PC、游戲控制臺和液晶電視的輔助電源設計仍是一個重大的挑戰(zhàn)。

有鑒于此，飛兆半導體公司（Fairchild Semiconductor）推出FSB系列AC電壓調(diào)節(jié)器。FSB系列是下一代綠色模式飛兆功率開關（FPSTM），可以幫助設計人員解決實現(xiàn)低于0.5W待機模式功耗的難題。FSB系列器件通過集成飛兆半導體的mWSaverTM技術，能夠大幅降低待機功耗和無負載功耗，從而滿足全球各地的待機模式功耗指導規(guī)范。

飛兆半導體的mWSaver技術提供了同級最佳的最低無負載和輕負載功耗特性，以期滿足全球各地現(xiàn)有的和建議中的標準和法規(guī)，并實現(xiàn)具有更小占位面積，更高可靠性和更低系統(tǒng)成本的設計。（來自飛兆半導體公司）

愛特梅爾maXTouch E 系列

助力三星電子Galaxy Note和

Galaxy Tab 7.7觸摸屏

愛特梅爾公司（Atmel? Corporation）宣布三星電子已經(jīng)選擇maXTouch? E 系列器件為其2011年數(shù)款旗艦智能手機和平板電腦產(chǎn)品的觸摸屏。繼愛持梅爾mXT1386助力超薄Galaxy Tab 10.1平板電腦獲得成功之后，三星電子再數(shù)款使用愛特梅爾maXTouch E 系列的產(chǎn)品，包括：

三星在IFA 2011展會上Galaxy Note，這是結(jié)合了大型高像素屏幕和智能手機的便攜性革新性產(chǎn)品。Galaxy Note具有5.3英寸1280x800 高清（HD） Super AMOLED顯示器和同樣引人注目的愛特梅爾mXT540E控制器，這款控制器具有高節(jié)點密度和32位處理功能，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率觸摸檢測和先進的信號處理。舉例來說，新型全屏幕手勢可讓消費者使用手或手掌的邊緣與Galaxy Note互動。 （來自愛特梅爾公司）

飛思卡爾在未來i.MX產(chǎn)品中許可使用ARM Cortex-A7和Cortex-A15處理器

飛思卡爾半導體公司宣布將許可使用新型超高效ARM? CortexTM-A7 MPCoreTM處理器，與之前許可使用的Cortex-A15處理器配合使用。飛思卡爾將利用兩個ARM核心的能效和性能開發(fā)其快速擴展的下一代i.MX應用處理器系列產(chǎn)品。

飛思卡爾計劃在單核和多核i.MX器件中采用ARM Cortex-A7 和Cortex-A15處理器，提供了軟件和引腳兼容性特性，面向嵌入式、汽車信息娛樂和智能移動設備應用。 針對性能需求較低的任務，高性能Cortex-A15處理器可以降低功率，而Cortex-A7處理器則用于處理負載較輕的處理任務。通過采用這種ARM稱之為“Big.LITTLE處理”的方式，片上系統(tǒng)（SoC）可利用同一個器件中的兩種不同但兼容的處理引擎，允許電源管理軟件無縫地為任務選擇合適的處理器。這種方式能幫助降低總體系統(tǒng)功耗，并可以延長移動設備的電池使用壽命。（來自飛思卡爾公司）

安捷倫LTE終端一致性

測試解決方案通過TPAC標準

安捷倫科技公司近日宣布其 E6621A PXT 無線通信測試儀及其 N6070A 系列 LTE 信令一致性測試解決方案通過了TPAC標準（測試平臺認同標準）。

安捷倫 N6070A 系列的用戶可以下載定期的軟件更新，這些更新中包括由歐洲電信標準協(xié)會（ETSI）為GCF（全球認證論壇）和 PTCRB 認證項目開發(fā)的最新協(xié)議測試方案。

在LTE 終端設備研發(fā)設計和驗證過程中，用戶可以使用安捷倫 E6621A PXT 無線通信測試儀以及安捷倫 N6070A 系列LTE信令一致性測試解決方案，確保進行可靠的協(xié)議認證測試。終端設備和芯片組制造商可以通過 N6070A 系列執(zhí)行開發(fā)測試、回歸測試、認證測試以及運營商驗收測試。N6070A 的用戶現(xiàn)在能夠進行經(jīng)過驗證的認證測試方案，這些測試方案覆蓋了與頻段級別Band 13 有關的 80% 的測試用例。（來自中國電子網(wǎng)）

Spansion公司推出

全新軟件增強閃存系統(tǒng)性能

近日，Spansion公司宣布針對并行及串行NOR閃存推出全新閃存文件系統(tǒng)軟件――Spansion? FFSTM。Spansion FFS是一款功能齊全的軟件套件，其高性能水平及可靠性配合嵌入式軟件應用可自動管理讀寫、擦除閃存等復雜操作。Spansion FFS是業(yè)界首款針對串行NOR閃存開發(fā)的閃存文件系統(tǒng)軟件。

Spansion FFS提供最優(yōu)化的系統(tǒng)性能，利用設備最大化性能提供快速讀寫能力。在不影響性能或增加成本的前提下，如何花更少的時間創(chuàng)造更復雜的設計是如今的嵌入式設計人員持續(xù)面臨的挑戰(zhàn)。利用Spansion FFS，軟件工程師可完全獲取Spansion NOR閃存的價值并調(diào)整產(chǎn)品以提升用戶體驗，確保高可靠性。（來自 Spansion公司）

市場新聞

SEMI硅晶圓出貨量預測報告

近日，SEMI（國際半導體設備與材料協(xié)會）完成了半導體產(chǎn)業(yè)年度硅片出貨量的預測報告。該報告預測了2011- 2013年期間晶圓的需求前景。結(jié)果表明，2011年拋光和外延硅的出貨量預計為91.31億平方英寸， 2012年預計為95.29億平方英寸，而2013年預計為99.95億平方英寸（請參閱下表）。晶圓總出貨量預期在去年高位運行的基礎上會有所增加，并在未來兩年會保持平穩(wěn)的增長態(tài)勢。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Stanley T. Myers表示：“由于2011年上半年驚人的出貨勢頭，2011年的總出貨量預期將保持在歷史最高水平。雖然現(xiàn)在正處在短期緩沖階段，但預期未來兩年仍將保持積極的增長勢頭?！保▉碜許EMI）

美國4G LTE業(yè)務迅速發(fā)展

將成全球老大

Pyramid Research最新的一份報告顯示，美國將成為全球擁有4G LTE用戶最多的國家。目前全球共有26家運營商提供4G LTE服務，而其中用戶最多的三家Verizon Wireless，MetroPCS和AT&T就占據(jù)了47%的市場份額。

Pyramid分析師Emily Smith預計，美國運營商服務的LTE用戶為700萬人，而全球使用LTE服務的用戶為1490萬人。在2011年，美國用戶購買了540萬臺LTE設備，是占據(jù)2011年全球LTE設備出貨量的71%。

LTE在美國的發(fā)展與Verizon的大力推廣密不可分。同時用戶需求的增長也是一個重要因素。

Smith在報告中提到了日本的NTT Docomo，這兩家公司都是在2010年12月推出LTE服務。但在Smith看來，Verizon的4G網(wǎng)絡建設效率更高：“雖然到年底 Verizon網(wǎng)絡有望覆蓋到全美60%人口，但其過去一年中的基建等固定資產(chǎn)投入僅占到營業(yè)收入的14.7%，而到2012年3月，NTT Docomo的4G網(wǎng)絡將覆蓋全日本20%人口，但基建等固定資產(chǎn)投入已經(jīng)占到營業(yè)收入的15.8%?！?（來自Pyramid Research）

ARM與TSMC完成首件20納米

ARM Cortex-A15 多核處理器設計定案

英商ARM公司與TSMC10月18日共同宣布，已順利完成首件采用20納米工藝技術生產(chǎn)的ARM Cortex-A15 處理器設計定案（Tape Out）。該定案是由TSMC在開放創(chuàng)新平臺上建構(gòu)完成的20納米設計生態(tài)環(huán)境，雙方花費六個月的時間完成從寄存器傳輸級（RTL）到產(chǎn)品設計定案的整個設計過程。

隨著設計定案的完成，ARM公司將提供優(yōu)化的架構(gòu)，在TSMC特定的20納米工藝技術上提升產(chǎn)品的效能、功率與面積（performance, power and area），進而強化Cortex-A15處理器優(yōu)化套件（Processor Optimization Pack）的規(guī)格。相較于前幾代工藝技術，TSMC的20納米先進工藝技術可提升產(chǎn)品效能達兩倍以上。（來自TSMC）

國家科技重大專項項目2011ZX02702項目啟動儀式暨2011年階段性

工作匯報會于上海舉行

近日，國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》（簡稱“02專項”）的《65-45nm芯片銅互連超高純電鍍液及添加劑研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化》（編號2011ZX02702）項目啟動儀式暨2011年階段性工作匯報會于上海舉行。中科院微電子研究所所長葉甜春研究員和中科院上海微系統(tǒng)研究所所長王曦院士率02專項專家組成員出席會議并作重要講話。上海市科委高新處郭延生處長、松江區(qū)科委楊懷志主任、上海市集成電路行業(yè)協(xié)會蔣守雷常務副會長等領導也出席了會議。項目責任單位上海新陽半導體材料股份有限公司（以下簡稱上海新陽）董事長王福祥、項目協(xié)作單位中芯國際營運效率優(yōu)化處助理總監(jiān)陸偉以及復旦大學、上海交通大學、上海集成電路研發(fā)中心等課題單位的領導一同出席會議。

項目負責人、上海新陽總工程師孫江燕匯報了2011年度項目進展情況、取得的研發(fā)成果以及項目安排實施計劃。與會專家領導對項目的技術水平給予了較高的評價，對項目工作的進展給予了較高的認可，對上海新陽的發(fā)展戰(zhàn)略及取得的成績表示高度贊賞，對項目今后的工作開展提出了指導性意見。會后，葉甜春所長還興致勃勃地參觀了上海新陽。

上海新陽董事長王福祥代表項目責任單位對出席活動的專家與領導表示熱烈歡迎與衷心感謝。他表示將一如既往地堅持既定發(fā)展戰(zhàn)略，借助國家科技重大專項的支持，借助公司上市的契機，加大研發(fā)投入，加大創(chuàng)新步伐，和各協(xié)作、課題單位緊密合作，如期完成02專項任務，如期完成上市募投項目，不辜負國家、政府及各級領導、專家的信任與期望，不辜負廣大用戶和投資者的重托，為國家社會經(jīng)濟發(fā)展作出更大的貢獻。（來自CSIA）

北美半導體設備制造商

2011年9月訂單出貨比為0.75

國際半導體設備材料協(xié)會（SEMI）日前公布，2011年9月北美半導體設備制造商接獲訂單9.848億美元，訂單出貨比（Book-to-Bill ratio）初估為0.75, 為連續(xù)第12個月低于1； 0.75意味著當月每出貨100美元的產(chǎn)品僅能接獲價值75美元的新訂單。這是北美半導體設備制造商BB值連續(xù)第5個月呈現(xiàn)下跌。

SEMI這份初估數(shù)據(jù)顯示，9月北美半導體設備制造商接獲全球訂單的3個月移動平均金額為9.848億美元，較8月上修值（11.6億美元）減15.3%，并且較2010年同期的16.5億美元短少40.4%。

9月北美半導體設備制造商3個月移動平均出貨金額初估為13.1億美元，創(chuàng)2010年6月以來新低；較8月上修值（14.6億美元）短少9.8%，并且較2010年同期的16.1億美元短少18.4%。

“訂單和出貨金額均在持續(xù)下降，差不多已于2009年底持平”,SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Stanley T. Myers指出，“雖然設備制造商在持續(xù)投資先進技術，但更大的投資力度需取決于全球經(jīng)濟前景的穩(wěn)定”

SEMI訂單出貨比為北美半導體設備制造商接獲全球訂單的3個月平均接單與出貨的比例。出貨與訂單數(shù)字以百萬美元為單位。

本新聞稿中所包含的數(shù)據(jù)是由一家獨立的金融服務公司David Powell, Inc.協(xié)助提供，未經(jīng)審計，直接由項目參與方遞交數(shù)據(jù)。SEMI和David Powell, Inc.對于數(shù)據(jù)的準確性，不承擔任何責任。（來自SEMI）

2011年中國MEMS消費增長速度下降

據(jù)IHS iSuppli公司的中國研究報告，中國政府抑制經(jīng)濟增長和控制通脹的行動，將導致中國2011年MEMS購買活動放緩。

中國2010年MEMS消費增長33%，預計2011年增長速度將下降到10%。盡管放緩，但該市場仍保持健康的擴張速度，預計2011年中國MEMS銷售額將達到16億美元，高于2010年的15億美元。到2015年，中國MEMS銷售額將達到26億美元，2010-2015年復合年度增長率為12.1%，如下圖所示。

由于全球宏觀經(jīng)濟形勢惡化，中國政府最近對信貸采取謹慎立場，今年中國MEMS市場不會重現(xiàn)2010年那樣的強勁增長。接下來的幾年，將有三個趨勢影響中國MEMS銷售額增長：

第一，MEMS產(chǎn)品將通過提供令人渴望的特點和創(chuàng)新功能讓消費者獲得新的體驗，比如在家用電器和手機中提供微型投影儀。

第二，隨著更多的供應商加入這個市場，以及MEMS技術及生產(chǎn)工藝的改善，生產(chǎn)成本將快速下降，就像加速計在最近兩年的表現(xiàn)那樣。這將推動市場的增長。

最后，對智能手機和平板電腦等熱門產(chǎn)品的需求增長，將促進MEMS市場的擴張。

未來幾年，中國市場上增長最快的MEMS領域?qū)⑹鞘謾C與消費市場的麥克風、加速計和陀螺儀。IHS公司預計，2015年該市場的MEMS銷售額將達到13億美元，2011-2015年復合年度增長率為21%。

增長第二快的領域?qū)⑹瞧嚺c工業(yè)MEMS市場，預計2011-2015年復合年度增長率分別為14%和12%。（來自IHS iSuppli）

Gartner：全球半導體銷售額急速放慢

Gartner近日報告稱，2011年全球半導體銷售額已經(jīng)放慢，總營收約為2990億美元，比2010年下降了0.1%。這項新的報告比Gartner今年第二季度作出的預測有所變化，此前Gartner預測全球半導體銷售額今年會上漲5.1%。

Gartner對PC生產(chǎn)量的增長預期也在下調(diào)，上個季度，Gartner預計PC產(chǎn)量增長率為9.5%，目前Gartner將其下調(diào)為3.4%，Gartner同時也下調(diào)了手機生產(chǎn)量增長預測，第二季度預期增長率為12.9%，最新預測的增長率為11.5%。

由于PC需求和價格的下滑，使DRAM受到嚴重影響，預測2011年將下滑26.6%。NAND flash閃存和數(shù)據(jù)處理ASIC是今年增長最塊的，約為20%，這主要受益于智能手機和平板電腦的強勁需求。

Lewis說：“由于對日益惡化的宏觀經(jīng)濟預期，我們已經(jīng)下調(diào)了2012年半導體的增長預測，從8.6%降至4.6%。由于美國經(jīng)濟的二次衰退可能性上升，銷售預期也進一步惡化，Gartner正在密切監(jiān)控IT和消費者方面的銷售趨勢，看有無顯著的衰退跡象。（來自SICA）

聯(lián)電與ARM攜手并進28納米制程世代